產品參數:
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
| SOP8 |
Dual-N+N |
30V |
|
1.7V |
8.5A |
|
|
16mΩ |
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VCE |
VGE |
VGEth(V) |
VCEsat15V |
ICE |
Technology |
| SOP8 |
Dual-N+N |
|
|
|
|
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds18 |
Technology |
| SOP8 |
Dual-N+N |
30V |
|
1.7V |
8.5A |
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds6 |
Technology |
| SOP8 |
Dual-N+N |
30V |
|
1.7V |
8.5A |
|
Trench |
詳細參數說明:
- **型號**: SI4926DY-T1-E3-VB
- **封裝**: SOP8
- **配置**: 雙N通道(Dual-N+N-Channel)
- **漏源電壓(V_DS)**: 30V
- **柵源電壓(V_GS)**: ±20V
- **開關閾值電壓(V_th)**: 1.7V
- **導通電阻(R_DS(ON))**:
- 20mΩ(V_GS = 4.5V)
- 16mΩ(V_GS = 10V)
- **最大漏極電流(I_D)**: 8.5A
- **技術**: Trench技術
- **最大功率耗散(P_D)**: 根據工作條件,功率損耗可以根據電流和導通電阻計算。
- **工作溫度範圍**: -55°C 至 +150°C
領域和模塊應用:
應用領域與模組舉例:
1. **DC-DC轉換器與電源管理**:
SI4926DY-T1-E3-VB 的低導通電阻和雙N通道配置使其非常適合用於高效的DC-DC轉換器和電源管理系統。在電壓轉換過程中,該MOSFET能夠提供低損耗的電流傳輸,提高電源轉換效率,減少熱量產生,廣泛應用於可攜式設備、電池供電系統、工業電源等領域。
2. **電池管理系統(BMS)**:
在電池管理系統(BMS)中,SI4926DY-T1-E3-VB 能夠有效地控制電池充放電過程中的電流流動,確保電池在安全範圍內運行。由於其低RDS(ON),它能夠減少電池系統中的功率損耗,延長電池使用壽命並提高系統效率,特別適用於電動汽車(EV)和混合動力汽車(HEV)等電池驅動系統。
3. **LED驅動與照明電源**:
在LED照明系統中,SI4926DY-T1-E3-VB MOSFET能夠通過其低導通電阻高效地管理電流流動,減少功率損耗,提升系統的亮度和能效。特別是在要求高效能和低功耗的照明模組中,它能夠有效提升電能轉化率並降低發熱。
4. **負載切換與電源開關**:
由於其低導通電阻和雙N通道結構,SI4926DY-T1-E3-VB 非常適合用於負載切換和電源開關應用。它能夠在高頻條件下快速切換電流,適用於工業自動化、通信設備和消費類電子等領域的電源模組及負載切換系統。
5. **電動工具與機器人驅動系統**:
在電動工具和機器人驅動系統中,SI4926DY-T1-E3-VB 可用於電動驅動和功率控制。由於其出色的電流處理能力和低導通電阻,能夠確保高效傳輸電能,尤其適合用於需要高頻開關和精確電流控制的應用。
6. **智能家居與物聯網設備**:
該MOSFET在智能家居和物聯網(IoT)設備中同樣有廣泛應用。它能夠提供高效能的電源轉換,支持智能設備中的電源管理、無線通信模組等。低功耗、高效率使其非常適合於低電壓供電的智能設備中。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性