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SI4926DY-T1-E3-VB 產品詳細

產品簡介:

產品簡介:

**SI4926DY-T1-E3-VB** 是一款雙N通道功率MOSFET,採用SOP8封裝,適用於需要高效率和低功率損耗的電源管理與開關應用。該MOSFET具有30V的漏源電壓(V_DS),最大柵源電壓(V_GS)為±20V,適合低電壓應用,能夠在較低的柵驅動電壓下啟動。開關閾值電壓(V_th)為1.7V,低啟動電壓使其特別適合於低電壓的電源系統。該MOSFET的導通電阻(R_DS(ON))為20mΩ(V_GS = 4.5V)和16mΩ(V_GS = 10V),這表明它在導通時具有非常低的電阻,有助於降低功率損耗並提高系統的效率。它採用Trench技術,提供更低的開關損失和更高的導電性能,適合高頻、高效的開關應用。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOP8 Dual-N+N 30V 1.7V 8.5A 16mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
SOP8 Dual-N+N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
SOP8 Dual-N+N 30V 1.7V 8.5A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
SOP8 Dual-N+N 30V 1.7V 8.5A Trench
詳細參數說明:

- **型號**: SI4926DY-T1-E3-VB
- **封裝**: SOP8
- **配置**: 雙N通道(Dual-N+N-Channel)
- **漏源電壓(V_DS)**: 30V
- **柵源電壓(V_GS)**: ±20V
- **開關閾值電壓(V_th)**: 1.7V
- **導通電阻(R_DS(ON))**:
- 20mΩ(V_GS = 4.5V)
- 16mΩ(V_GS = 10V)
- **最大漏極電流(I_D)**: 8.5A
- **技術**: Trench技術
- **最大功率耗散(P_D)**: 根據工作條件,功率損耗可以根據電流和導通電阻計算。
- **工作溫度範圍**: -55°C 至 +150°C

領域和模塊應用:

應用領域與模組舉例:

1. **DC-DC轉換器與電源管理**:
SI4926DY-T1-E3-VB 的低導通電阻和雙N通道配置使其非常適合用於高效的DC-DC轉換器和電源管理系統。在電壓轉換過程中,該MOSFET能夠提供低損耗的電流傳輸,提高電源轉換效率,減少熱量產生,廣泛應用於可攜式設備、電池供電系統、工業電源等領域。

2. **電池管理系統(BMS)**:
在電池管理系統(BMS)中,SI4926DY-T1-E3-VB 能夠有效地控制電池充放電過程中的電流流動,確保電池在安全範圍內運行。由於其低RDS(ON),它能夠減少電池系統中的功率損耗,延長電池使用壽命並提高系統效率,特別適用於電動汽車(EV)和混合動力汽車(HEV)等電池驅動系統。

3. **LED驅動與照明電源**:
在LED照明系統中,SI4926DY-T1-E3-VB MOSFET能夠通過其低導通電阻高效地管理電流流動,減少功率損耗,提升系統的亮度和能效。特別是在要求高效能和低功耗的照明模組中,它能夠有效提升電能轉化率並降低發熱。

4. **負載切換與電源開關**:
由於其低導通電阻和雙N通道結構,SI4926DY-T1-E3-VB 非常適合用於負載切換和電源開關應用。它能夠在高頻條件下快速切換電流,適用於工業自動化、通信設備和消費類電子等領域的電源模組及負載切換系統。

5. **電動工具與機器人驅動系統**:
在電動工具和機器人驅動系統中,SI4926DY-T1-E3-VB 可用於電動驅動和功率控制。由於其出色的電流處理能力和低導通電阻,能夠確保高效傳輸電能,尤其適合用於需要高頻開關和精確電流控制的應用。

6. **智能家居與物聯網設備**:
該MOSFET在智能家居和物聯網(IoT)設備中同樣有廣泛應用。它能夠提供高效能的電源轉換,支持智能設備中的電源管理、無線通信模組等。低功耗、高效率使其非常適合於低電壓供電的智能設備中。

*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

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