推广型号

您現在的位置 > 首頁 > 推广型号

SI4955DY-T1-VB 產品詳細

產品簡介:

1. 產品簡介:

**SI4955DY-T1-VB** 是一款雙 P+P-N 通道 MOSFET,採用 SOP8 封裝,專為低壓電源管理和開關電路設計。該 MOSFET 具有優秀的電氣性能,支持最大漏源電壓(VDS)為 -30V,最大柵源電壓(VGS)為 ±20V,柵源閾值電壓(Vth)為 -1.7V,最大漏極電流為 -7.3A。MOSFET 的導通電阻(RDS(ON))分別為 45mΩ(在 VGS = 4.5V 時)和 35mΩ(在 VGS = 10V 時),使用 Trench 工藝製造,具有優異的開關特性和低功率損耗。它適用於各種電源管理、電池保護和負載開關應用,能夠在要求高效能電流控制和低導通損耗的應用中提供卓越性能。

文件下載

下載PDF檔案
立即下載

產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOP8 Dual-P+P -30V -1.7V -7.3A 35mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
SOP8 Dual-P+P Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
SOP8 Dual-P+P -30V -1.7V -7.3A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
SOP8 Dual-P+P -30V -1.7V -7.3A Trench
2. 詳細參數說明:

- **型號**:SI4955DY-T1-VB
- **封裝類型**:SOP8
- **配置**:雙 P+P-N 通道
- **最大漏源電壓 (VDS)**:-30V
- **最大柵源電壓 (VGS)**:±20V
- **柵源閾值電壓 (Vth)**:-1.7V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- RDS(ON) = 45mΩ(在 VGS = 4.5V 時)
- RDS(ON) = 35mΩ(在 VGS = 10V 時)
- **最大漏極電流 (ID)**:-7.3A
- **技術**:Trench 工藝

領域和模塊應用:

3. 應用領域與模組:

# 1. **電池管理與保護電路**:
SI4955DY-T1-VB 在電池管理系統中表現出色,特別適用於智能手機、筆記本電腦、電動工具等可攜式設備的電池保護和管理。在電池充電/放電過程中,MOSFET 可以作為開關,控制電池的電流流動,避免電池因過充或過放而損壞。其低導通電阻確保了較低的功率損耗,同時保證了電池的安全性和長壽命。尤其在需要雙極性控制的電池管理電路中,MOSFET 的雙 P+P-N 配置有助於實現更精確的電流控制和電池保護。

總結:
SI4955DY-T1-VB 是一款高效、低功耗的雙 P+P-N 通道 MOSFET,適用於電源管理、DC-DC 轉換器、電池保護、電動機控制、負載開關等廣泛領域。其低導通電阻和高電流承載能力使其在要求高效能電流控制、低導通損耗和高頻開關的應用中表現卓越,特別適用於電池管理、反向電流保護、電動工具和高效電源模組等領域。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

技術支援:

* 如果您對產品有任何問題,請填寫表格提交,我們會24小時內回復您

打樣申請

QQ諮詢

電話諮詢

400-655-8788

微信諮詢

一鍵置頂

打樣申請
線上諮詢
電話諮詢
微信諮詢