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SI4967DY-T1-E3-VB 產品詳細

產品簡介:

產品簡介:

**SI4967DY-T1-E3-VB** 是一款採用SOP8封裝的雙P通道功率MOSFET,特別適用於低電壓和高效率的開關應用。該MOSFET具有-20V的漏源電壓(V_DS),最大柵源電壓(V_GS)為±20V,適用於負電壓系統。開關閾值電壓(V_th)為-1.2V,使其在負電壓電源系統中快速導通,適合要求快速回應的應用。其導通電阻(R_DS(ON))為18mΩ(V_GS = 4.5V)和16mΩ(V_GS = 10V),這表明在導通時具有非常低的電阻,可以有效減少功率損耗,提高效率。採用Trench技術,該MOSFET在高頻率的開關應用中表現出較低的開關損耗和良好的傳輸性能。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOP8 Dual-P+P -20V -1.2V -8.9A 16mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
SOP8 Dual-P+P Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
SOP8 Dual-P+P -20V -1.2V -8.9A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
SOP8 Dual-P+P -20V -1.2V -8.9A Trench
詳細參數說明:

- **型號**: SI4967DY-T1-E3-VB
- **封裝**: SOP8
- **配置**: 雙P通道(Dual-P+P-Channel)
- **漏源電壓(V_DS)**: -20V
- **柵源電壓(V_GS)**: ±20V
- **開關閾值電壓(V_th)**: -1.2V
- **導通電阻(R_DS(ON))**:
- 18mΩ(V_GS = 4.5V)
- 16mΩ(V_GS = 10V)
- **最大漏極電流(I_D)**: -8.9A
- **技術**: Trench技術
- **最大功率耗散(P_D)**: 根據工作條件,功率損耗可由電流和導通電阻估算。
- **工作溫度範圍**: -55°C 至 +150°C

領域和模塊應用:

應用領域與模組舉例:

1. **DC-DC轉換器與電源管理系統**:
**SI4967DY-T1-E3-VB** 的低導通電阻和雙P通道配置使其非常適合於DC-DC轉換器,尤其在負電壓轉換和電源管理系統中。其出色的電流控制性能能夠提高電源轉換效率,並降低功率損耗,廣泛應用於手機、筆記本、可攜式設備以及工業電源系統等場合。

2. **電池管理系統(BMS)**:
在電池管理系統(BMS)中,**SI4967DY-T1-E3-VB** 可用於精確的電池充放電管理。由於其低RDS(ON)特性,可以有效減少電池系統中的功率損耗,提升電池的充電效率和使用壽命。它適用於電動汽車(EV)、混合動力汽車(HEV)和其他電池驅動系統,能夠提供高效的功率切換和負載管理。

3. **負載開關與電源開關**:
在負載開關應用中,**SI4967DY-T1-E3-VB** 的雙P通道配置非常適合用於反向電壓保護和電源切換,尤其在要求高效能和低功耗的應用中。它能夠實現低功耗的電源切換,減少損耗,並提供高可靠性,廣泛應用於智能家居、物聯網設備以及便攜設備的電源管理模組。

4. **LED照明與驅動電源**:
在LED驅動電源中,**SI4967DY-T1-E3-VB** MOSFET能夠提供高效的電流控制。其低導通電阻和高電流承載能力,使其在LED照明電源中具有廣泛應用。該MOSFET能夠提供穩定的電流,減少功率損耗,適用於高效能的LED驅動模組和節能照明系統,確保燈具運行穩定且長效。

5. **智能家居與物聯網設備**:
由於**SI4967DY-T1-E3-VB** 的低導通電阻和良好的開關性能,它也廣泛應用於智能家居和物聯網設備中。在這些系統中,能夠提供高效的電源管理,特別適用於低功耗的無線通信模組、電動窗簾、智能照明系統等,降低能耗並延長設備的使用壽命。

6. **電動工具與機器人驅動系統**:
在電動工具和機器人驅動系統中,**SI4967DY-T1-E3-VB** 能夠有效管理高電流和電源開關,確保驅動系統的高效運行。由於其低導通電阻,減少了系統功率損耗,在要求較高效率的驅動系統中得到了廣泛應用。

*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

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