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Si5402BDC-T1-E3-VB 產品詳細

產品簡介:

Si5402BDC-T1-E3-VB MOSFET 產品簡介

Si5402BDC-T1-E3-VB 是一款單N溝道MOSFET,採用DFN8(3x2)-B封裝,專為低電壓、高效能的電源管理和開關應用設計。該MOSFET具有較低的導通電阻(RDS(ON))為29mΩ(VGS=10V),能夠在較高電流下保持較低的功率損耗,提供卓越的熱管理和電流處理能力。其最大漏源電壓(VDS)為30V,最大柵源電壓(VGS)為±20V,具有較低的門閾電壓(Vth)為1.5V,使其能夠高效開關和快速回應。

該MOSFET採用Trench技術,確保了在高頻率和高電流負載下具有優異的開關性能和穩定性,特別適合用於需要低功耗和高效電流控制的各種應用,廣泛應用於DC-DC轉換器、電源管理、電池保護和負載開關等領域。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
DFN8(3X2)-B Single-N 30V 1.5V 6.7A 29mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
DFN8(3X2)-B Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
DFN8(3X2)-B Single-N 30V 1.5V 6.7A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
DFN8(3X2)-B Single-N 30V 1.5V 6.7A Trench
Si5402BDC-T1-E3-VB MOSFET 詳細參數說明

- **型號**:Si5402BDC-T1-E3-VB
- **封裝形式**:DFN8(3x2)-B
- **配置**:單N溝道
- **最大漏源電壓(VDS)**:30V
- **最大柵源電壓(VGS)**:±20V
- **閾值電壓(Vth)**:1.5V
- **導通電阻(RDS(ON))**:29mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏電流(ID)**:6.7A
- **技術**:Trench技術
- **工作溫度範圍**:-55°C 到 +150°C
- **最大功率耗散(Pd)**:1.5W(典型值)

領域和模塊應用:

Si5402BDC-T1-E3-VB MOSFET 應用領域與模組示例

1. **DC-DC轉換器**
- Si5402BDC-T1-E3-VB 在DC-DC轉換器中表現出色,特別適用於低電壓和高電流的電源轉換應用。由於其低導通電阻特性,它能夠有效降低轉換過程中的能量損耗,提升轉換效率,因此適合用於移動電源、電池充電器、便攜設備電源適配器等。此MOSFET能夠在電源轉換中提供高效的電流控制,確保穩定、可靠的電壓輸出。

2. **電池管理系統(BMS)**
- 在電池管理系統中,Si5402BDC-T1-E3-VB 可用作電池保護開關、充放電控制和電流監測元件。其低RDS(ON)特性使其能夠在電池管理過程中高效地處理大電流,同時減少損耗。該MOSFET特別適用於電動汽車、儲能系統和可攜式設備的電池管理模組,能夠確保電池的長時間穩定使用並防止過充、過放及短路等問題。

3. **負載開關和電源管理**
- 由於其高效的開關性能和低功率損耗,Si5402BDC-T1-E3-VB 適用於各種負載開關和電源管理應用。該MOSFET可用於控制電源線路的啟停,以及電流的精確控制。它可廣泛應用於家電、電腦、通信設備等需要可靠開關控制和電源管理的領域。

4. **汽車電子**
- 在汽車電子領域,Si5402BDC-T1-E3-VB 可用於電源管理、負載開關以及各種電池供電的系統中。它的低導通電阻和高效能使其在電動汽車及混合動力汽車的電池管理、充電系統及驅動控制中得到廣泛應用。MOSFET的高效開關特性能夠保證汽車電池在各種工作條件下的安全穩定性,減少能量損耗。

5. **智能家居系統**
- Si5402BDC-T1-E3-VB 還適用於智能家居系統中的電源管理模組,能夠高效控制家庭電器、智能照明、安防設備等的電流和電壓。它的低RDS(ON)特性使得電源開關應用具有高效的電流控制,延長電池使用壽命,並減少設備中的熱量積累,確保家居自動化設備的穩定運行。

6. **消費電子產品**
- 在消費電子產品中,Si5402BDC-T1-E3-VB 可廣泛應用於各種電池供電的設備,如智能手機、可攜式音響、手持工具等。由於其低功耗和高效能,該MOSFET能夠延長這些設備的電池續航時間,同時提升電池管理效率。MOSFET的高開關速度和低功率損耗特性使其成為消費電子產品中的理想選擇。

7. **無線充電系統**
- Si5402BDC-T1-E3-VB 在無線充電系統中用於電源管理和電流開關應用,能夠實現高效的能量傳輸和功率轉換。其低RDS(ON)特性保證了無線充電器的高效能,減少能量損耗和熱量產生,適用於各種無線充電設備,如智能手機無線充電板、智能手錶充電器等。

綜上所述,Si5402BDC-T1-E3-VB MOSFET 憑藉其低導通電阻和高電流處理能力,在電源管理、電池保護、負載開關和消費電子等領域有廣泛的應用。它適合用於需要低功耗、高效率的各種電力電子系統,尤其是在空間緊湊、熱量要求嚴格的應用場景中表現優異。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

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