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SI7102DN-VB 產品詳細

產品簡介:

產品簡介 - SI7102DN-VB

SI7102DN-VB 是一款高效的單N通道MOSFET,採用DFN8 (3x3mm)封裝,具有優異的熱性能和低導通電阻。該MOSFET專為低壓、高電流應用設計,能夠在低柵極電壓驅動下提供極低的導通損耗,特別適合用於功率管理、負載開關和高效電源轉換模組。

其VDS為20V,VGS為±12V,閾值電壓(Vth)範圍為0.5V至1.5V,具有較低的RDS(ON)值,確保在低柵極電壓下依然能維持高效率。特別地,SI7102DN-VB在VGS = 2.5V和VGS = 4.5V時,RDS(ON)均為5.5mΩ,最大漏極電流(ID)為58A。結合Trench技術製造,具有優越的開關性能和熱管理能力,使其成為高效能、低功耗設計中不可或缺的元件。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
DFN8(3X3) Single-N 20V 0.5~1.5V 58A 5.5mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
DFN8(3X3) Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
DFN8(3X3) Single-N 20V 0.5~1.5V 58A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
DFN8(3X3) Single-N 20V 0.5~1.5V 58A Trench
詳細參數說明

- **封裝**:DFN8 (3x3mm)
- **配置**:單N通道
- **VDS(漏源電壓)**:20V
- **VGS(柵源電壓)**:±12V
- **Vth(閾值電壓)**:0.5V ~ 1.5V
- **RDS(ON)**:
- 5.5mΩ@VGS = 2.5V
- 5.5mΩ@VGS = 4.5V
- **ID(漏極電流)**:58A
- **技術**:Trench
- **最大功耗**:未提供(通常依賴於具體工作環境與散熱條件)
- **工作溫度範圍**:通常為-40°C至+150°C

領域和模塊應用:

應用領域與模組示例

1. **DC-DC轉換器和電源管理模組**
SI7102DN-VB 在DC-DC轉換器中應用廣泛,尤其適用於低壓、大電流的電源轉換設計。由於其極低的RDS(ON),可以有效降低功耗和發熱,提升電源轉換效率。該MOSFET適合應用在開關電源、電池充電器以及用於高效電源管理的電子設備中,如可攜式電池供電系統、充電模組和電源適配器。

2. **電池供電設備**
在電池管理系統中,尤其是在需要長時間運行且需要高效電池能量利用的設備中,SI7102DN-VB具有優勢。其低導通電阻能夠最大限度地減少電池能量損耗,並通過高電流承載能力,確保電池能夠高效地為負載供電,適用於智能手機、筆記本電腦、電動工具等可攜式電子設備。

3. **負載開關應用**
該MOSFET可作為負載開關應用中的核心組件,特別是在需要快速開關和高功率負載控制的場景下,如汽車電源管理、家電開關、負載保護電路等。SI7102DN-VB的低RDS(ON)值意味著它可以在較低的柵極電壓下迅速打開並以低功耗工作,適用於負載開關控制、過電流保護和電源管理。

4. **電動汽車和電動工具**
SI7102DN-VB 也可廣泛應用於電動汽車(EV)以及電動工具的電源管理系統。電動工具和電動汽車中的高電流負載切換需求,使得低導通電阻和高電流承載能力至關重要。該MOSFET在電動工具的電池管理系統中能夠有效提高電池效率和設備性能,在電動汽車的電池管理、充電電路等方面同樣提供理想的性能表現。

5. **通信設備電源管理**
在通信設備中,SI7102DN-VB也能提供高效的電源管理解決方案。通信基站、路由器等設備需要高效的功率轉換和管理,而該MOSFET能夠在低壓和高電流的工作環境下確保穩定運行,同時降低功率損失和熱量生成,滿足電源系統對高效能和高可靠性的要求。

通過以上應用,SI7102DN-VB能夠在多個行業領域提供高效的電流控制和低功耗方案,成為電源管理和高效轉換領域中的理想選擇。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

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