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SI7121DN-VB 產品詳細

產品簡介:

SI7121DN-VB MOSFET 產品簡介

SI7121DN-VB 是一款單極 P 通道 MOSFET,採用 DFN8 (3x3) 封裝,具有較低的 RDS(ON) 和高電流承載能力。它的漏源電壓 (VDS) 為 -30V,柵源電壓 (VGS) 為 ±20V,適用於低壓驅動系統和高效功率管理應用。SI7121DN-VB 的 Vth (柵閾值電壓) 為 -2.5V,具有良好的導通特性。該 MOSFET 在 VGS=10V 時的 RDS(ON) 為 11mΩ,提供非常低的導通損耗。憑藉其高電流能力(ID 最大為 -45A),它適用於高電流密度、高效的電源轉換、負載開關及電機驅動等應用。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
DFN8(3X3) Single-P -30V -2.5V -45A 11mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
DFN8(3X3) Single-P Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
DFN8(3X3) Single-P -30V -2.5V -45A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
DFN8(3X3) Single-P -30V -2.5V -45A Trench
SI7121DN-VB MOSFET 詳細參數說明

- **封裝**:DFN8 (3x3)
- **配置**:單 P 通道
- **漏源電壓 (VDS)**:-30V
- **柵源電壓 (VGS)**:±20V
- **柵閾值電壓 (Vth)**:-2.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- 18mΩ @ VGS = 4.5V
- 11mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏電流 (ID)**:-45A
- **技術**:Trench(深溝槽技術),提高了電流傳導效率,減少了開關損耗。

領域和模塊應用:

SI7121DN-VB MOSFET 應用領域與模組

1. **電源管理系統**:
由於 SI7121DN-VB 的低導通電阻和高電流承載能力,它在電源管理系統中,尤其是作為負載開關和電池管理系統中的電流開關角色中非常適用。在直流-直流轉換器和電池充電器等設計中,SI7121DN-VB 能有效降低開關損耗,提升系統效率。

2. **高效電機驅動**:
該 MOSFET 的低 RDS(ON) 和高電流承載能力使其在電機驅動應用中表現出色,特別適合用於無刷直流電機 (BLDC) 和步進電機驅動電路。通過提供低功率損耗和高電流密度,SI7121DN-VB 有助於提升電機控制系統的效率和可靠性。

3. **低壓負載開關**:
在低壓應用中,SI7121DN-VB 可用作高效負載開關,廣泛應用於智能家居設備、可攜式設備及汽車電子中。由於其高電流能力和低導通損耗,它能夠在這些場景下提供穩定的電源管理和負載控制。

4. **逆變器與太陽能電池板**:
在逆變器和太陽能電池板的能量轉換模組中,SI7121DN-VB 的低 RDS(ON) 和良好的導電性能非常適合用作開關元件,能夠有效減少能源損耗,提高整個系統的效率。

通過這些應用示例,可以看出 SI7121DN-VB MOSFET 特別適合高電流、高效率和低功耗的電源轉換和開關應用。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

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