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SI7138DP-T1-GE3-VB 產品詳細

產品簡介:

SI7138DP-T1-GE3-VB MOSFET 產品簡介

**SI7138DP-T1-GE3-VB** 是一款採用**Trench技術**的單N通道MOSFET,具有高效的開關性能和低導通損耗,封裝為**DFN8 (5x6)**,是一種適用於高電流應用的表面貼裝封裝。其**最大漏極-源極電壓**(VDS)為60V,適用於中壓電源和電力轉換器中。此款MOSFET的**導通電阻**(RDS(ON))在柵極電壓為10V時為**6mΩ**,可提供**80A**的最大漏極電流,適合用於需要高電流驅動和高效能的應用場合。其**閾值電壓**(Vth)為2.5V,具有較低的開關閾值,適用於低壓柵驅動電路。該器件的低導通電阻和高電流承載能力使其特別適合用於高效功率轉換、高電流負載和電源管理系統。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
DFN8(5X6) Single-N 60V 2.5V 80A 6mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
DFN8(5X6) Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
DFN8(5X6) Single-N 60V 2.5V 80A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
DFN8(5X6) Single-N 60V 2.5V 80A Trench
SI7138DP-T1-GE3-VB MOSFET 詳細參數說明

| **參數** | **值** | **說明** |
|------------------|-----------------------|---------------------------------------------|
| **型號** | SI7138DP-T1-GE3-VB | |
| **封裝** | DFN8 (5x6) | 適合高電流應用的緊湊型表面貼裝封裝 |
| **配置** | 單N通道 | 適用於高電流驅動和高效能的電力開關 |
| **VDS** | 60V | 最大漏極-源極電壓為60V,適合中壓應用 |
| **VGS** | ±20V | 柵極-源極電壓範圍為±20V,支持標準柵極驅動電壓 |
| **Vth** | 2.5V | 閾值電壓為2.5V,確保靈敏的開關特性 |
| **RDS(ON)** | 7mΩ@VGS=4.5V | 柵極電壓4.5V時的導通電阻 |
| **RDS(ON)** | 6mΩ@VGS=10V | 柵極電壓10V時的導通電阻 |
| **ID** | 80A | 最大漏極電流為80A,適用於高電流負載的應用 |
| **技術** | Trench技術 | 高效能的Trench技術減少開關損耗和導通電阻 |

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領域和模塊應用:

SI7138DP-T1-GE3-VB MOSFET 適用領域和模組

**1. 電源管理與DC-DC轉換器:**
- SI7138DP-T1-GE3-VB MOSFET非常適用於電源管理系統,尤其是在**DC-DC轉換器**中。由於其低RDS(ON)和高電流承載能力(80A),該MOSFET可提供高效的功率轉換,減少能量損耗,提高系統效率。這使其成為電源模組、可攜式電源設備和工業電源中的理想選擇。

**2. 電動工具和電動驅動系統:**
- 該MOSFET適用於**電動工具**(如電動鑽、電動扳手等)和**電動驅動系統**,在這些高電流負載的應用中,SI7138DP-T1-GE3-VB提供穩定可靠的開關性能。其在柵驅動電壓為10V時低至**6mΩ**的RDS(ON)使其能夠承載更高的電流,並保持較低的開關損耗,適用於要求高可靠性和長時間使用的場景。

**3. 電池管理系統(BMS):**
- 在**電池管理系統(BMS)**中,該MOSFET能夠高效控制電池的充放電過程,尤其是在**高電流電池組**的應用中。通過其**80A**的高漏極電流能力,SI7138DP-T1-GE3-VB能夠有效提升電池充放電的效率,確保電池使用過程中的熱管理和電力損耗最小化。

**4. 高效電機驅動:**
- 由於其低RDS(ON)和高電流承載能力,該MOSFET非常適合用作**電機驅動系統**中的開關元件,特別是在電動機控制和驅動模組中。SI7138DP-T1-GE3-VB能夠在高電流負載下穩定工作,減少熱量產生,並提高電動機驅動的效率。

**5. 可再生能源和太陽能逆變器:**
- 在**太陽能逆變器**和其他**可再生能源應用**中,SI7138DP-T1-GE3-VB MOSFET憑藉其**高電流能力**和**低導通電阻**(RDS(ON)),可以提供高效的功率開關,幫助提高能源轉換效率。它能夠在太陽能發電和風能發電的電力電子控制系統中確保高效穩定的運行。

**6. 汽車電子與電動汽車:**
- 在**電動汽車(EV)**和**混合動力電動汽車(HEV)**的電力系統中,SI7138DP-T1-GE3-VB MOSFET可用於高效的電力轉換和電池管理模組,提升能效並延長車輛的續航里程。由於其低導通電阻和高電流處理能力,它能有效支持大功率電池和電動驅動系統。

通過其低RDS(ON)、高電流承載能力和高效率的開關性能,**SI7138DP-T1-GE3-VB** MOSFET在多個高功率、高效率的電源管理和驅動應用中表現出色,特別是在需要可靠的高電流切換、低功率損耗和熱管理的場合。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

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