產品參數:
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
| DFN8(5X6) |
Single-N |
40V |
|
3V |
120A |
|
|
2mΩ |
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VCE |
VGE |
VGEth(V) |
VCEsat15V |
ICE |
Technology |
| DFN8(5X6) |
Single-N |
|
|
|
|
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds18 |
Technology |
| DFN8(5X6) |
Single-N |
40V |
|
3V |
120A |
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds6 |
Technology |
| DFN8(5X6) |
Single-N |
40V |
|
3V |
120A |
|
Trench |
詳細參數說明
- **型號**:SI7156DP-T1-GE3-VB
- **封裝類型**:DFN8(5X6)
- **配置**:單N通道
- **漏源電壓(VDS)**:40V
- **柵源電壓(VGS)**:±20V
- **開關閾值電壓(Vth)**:3V
- **導通電阻(RDS(ON))**:
- @VGS = 10V:2mΩ
- **最大漏電流(ID)**:120A
- **最大功率耗散**:1W
- **工作溫度範圍**:-55°C 至 +150°C
- **封裝尺寸**:DFN8(5X6)
- **其他特性**:
- 超低RDS(ON)值,有效減少功率損耗
- 高電流承載能力,適合大功率應用
- 優異的開關性能,適用於高頻操作
- 採用Trench技術,提供較低的導通電阻和高效率
領域和模塊應用:
應用領域和模組
SI7156DP-T1-GE3-VB 是一款低RDS(ON)值的高功率MOSFET,適用於多個領域和模組,尤其是在電源轉換、電池管理、以及高功率模組中的應用。以下是其典型的應用場景:
1. **電源轉換和電源模組**
在電源轉換應用中,SI7156DP-T1-GE3-VB 可以用於DC-DC轉換器、AC-DC電源以及電壓轉換模組。由於其低導通電阻,能夠顯著減少轉換過程中的能量損耗,並提高系統效率,特別適用於需要高效能和高電流的電源模組。
2. **電池管理系統(BMS)**
該MOSFET適用於電池管理系統(BMS)中的充電與放電控制。由於其高電流承載能力和低RDS(ON),它能夠在電池充電過程中提供精准的電流控制和高效的功率管理,保護電池免受過電流和過電壓的損害,延長電池壽命。
3. **電動工具**
SI7156DP-T1-GE3-VB 在電動工具中也有廣泛應用。特別是在電池驅動的電動工具中,MOSFET可以作為高效的開關元件,在電池供電過程中進行電流的高效切換。其高電流承載能力(120A)和低RDS(ON)能夠提高電動工具的性能並減少能量損耗。
4. **電動交通工具**
對於電動自行車、電動滑板車、電動摩托車等電動交通工具,SI7156DP-T1-GE3-VB 是一個理想選擇。它在高電流條件下的低功率損耗和優異的開關性能能夠有效提升電動交通工具的電池管理和電動機驅動系統的效率。
5. **高功率開關電源**
SI7156DP-T1-GE3-VB 適用於各種高功率開關電源(如工業電源、通信電源、伺服器電源等),提供穩定的功率轉換和高效能的電流調節。在大功率系統中,它能夠有效降低系統的功率損失,提升系統的總體效率。
6. **太陽能逆變器**
在太陽能逆變器中,SI7156DP-T1-GE3-VB 可以用作功率開關元件,幫助將直流電轉換為交流電。由於其低RDS(ON)和高電流承載能力,能夠提供穩定且高效的轉換過程,減少熱量產生,提升太陽能系統的總體效率。
7. **工業自動化設備**
在工業自動化系統中,該MOSFET可用於電動機驅動、運動控制、以及其他高電流應用。其高電流和低導通電阻特性使其適用於需要高效電流控制和大功率輸出的場景。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性