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SI7164DP-T1-GE3-VB 產品詳細

產品簡介:

產品簡介:SI7164DP-T1-GE3-VB

SI7164DP-T1-GE3-VB 是一款採用 DFN8(5x6)封裝的單 N 型溝道 MOSFET,專為高功率和高效電源管理應用設計。該產品具有最大漏源電壓(VDS)為 60V,最大漏極電流(ID)為 80A,廣泛應用於需要高電流、低功率損耗、高效開關的領域。採用先進的 Trench 技術,SI7164DP-T1-GE3-VB 提供了極低的導通電阻(RDS(ON)),即使在較低的柵電壓下也能保持優秀的性能,適合用於電源管理、電池管理、負載開關等多種高效能應用。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
DFN8(5X6) Single-N 60V 2.5V 80A 6mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
DFN8(5X6) Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
DFN8(5X6) Single-N 60V 2.5V 80A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
DFN8(5X6) Single-N 60V 2.5V 80A Trench
詳細參數說明:

- **封裝類型**:DFN8 (5x6)
- **配置**:單 N 型溝道(Single-N-Channel)
- **漏源電壓 (VDS)**:60V
- **柵源電壓 (VGS)**:±20V
- **閾值電壓 (Vth)**:2.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- VGS = 10V:6mΩ
- VGS = 4.5V:7mΩ
- **最大漏極電流 (ID)**:80A
- **技術**:Trench 技術

SI7164DP-T1-GE3-VB MOSFET 具有低導通電阻(RDS(ON))和高漏極電流處理能力,適用於高效電流控制和低功率損耗要求的電源管理系統。無論是在電池管理、DC-DC 轉換器,還是高電流負載開關的應用中,這款 MOSFET 都能提供卓越的性能。

領域和模塊應用:

應用領域和模組:

1. **電源管理與 DC-DC 轉換器**:
SI7164DP-T1-GE3-VB 可廣泛應用於電源管理系統,特別是在 DC-DC 轉換器中。它的低導通電阻和高電流處理能力使其能夠有效提高轉換效率,減少電源系統的功率損失。適用於消費電子、電源適配器、工業設備等高效電源需求的場景。

2. **電池管理系統 (BMS)**:
該 MOSFET 在電池管理系統中有重要應用,尤其是在電動交通工具、電動汽車和儲能系統中。其低 RDS(ON) 和高電流承載能力使其非常適合用於電池的充放電控制、保護電路中,可以大大提高電池的性能和壽命,減少系統能量損失。

3. **高功率負載開關**:
在高功率負載開關應用中,SI7164DP-T1-GE3-VB 可用作高電流負載的開關控制元件。其具備的高電流能力和低導通電阻,使其在負載開關應用中具有優異的表現,能夠控制大功率負載,適用於電動工具、工業機器、家用電器等領域。

4. **電動交通工具與新能源設備**:
由於其出色的高電流能力和低功率損耗,SI7164DP-T1-GE3-VB 適用於電動交通工具(如電動汽車、無人機、電動滑板車等)及新能源設備(如太陽能發電系統、風能轉換系統等)。在這些應用中,MOSFET 能夠用於電池管理、電能控制和高效轉換電源,提升系統整體效率。

5. **電機控制與驅動系統**:
在電機驅動系統中,SI7164DP-T1-GE3-VB 能夠高效控制電機的啟動、停止和速度調節。它的低 RDS(ON) 和高電流能力使其在步進電機、直流電機、無刷電機等電機驅動系統中具有廣泛的應用,適合於家電、工業自動化、機器人控制等領域。

6. **高頻開關電源**:
該 MOSFET 的低導通電阻和快速開關性能使其在高頻開關電源(如逆變器、LED 驅動電源和太陽能逆變器)中非常適用。它能有效地降低開關過程中的功率損耗,在高頻條件下仍能保持高效能,確保系統的可靠性和長期運行效率。

*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

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