產品參數:
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
| DFN8(3X3)-B |
Dual-N+N |
30V |
|
1.7V |
26A |
|
|
16mΩ |
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VCE |
VGE |
VGEth(V) |
VCEsat15V |
ICE |
Technology |
| DFN8(3X3)-B |
Dual-N+N |
|
|
|
|
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds18 |
Technology |
| DFN8(3X3)-B |
Dual-N+N |
30V |
|
1.7V |
26A |
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds6 |
Technology |
| DFN8(3X3)-B |
Dual-N+N |
30V |
|
1.7V |
26A |
|
Trench |
詳細參數說明
- **型號**:SI7212DN-VB
- **封裝類型**:DFN8(3X3)-B
- **配置**:雙N通道(Dual-N+N-Channel)
- **漏源電壓(VDS)**:30V
- **柵源電壓(VGS)**:±20V
- **開關閾值電壓(Vth)**:1.7V
- **導通電阻(RDS(ON))**:
- @VGS = 4.5V:20mΩ
- @VGS = 10V:16mΩ
- **最大漏電流(ID)**:26A
- **功率耗散**:1W(典型值)
- **工作溫度範圍**:-55°C 至 +150°C
- **封裝尺寸**:DFN8(3X3)-B
- **技術**:Trench
**特性**:
- 超低導通電阻(RDS(ON)),降低系統功率損耗
- 高電流能力,適用於高功率應用
- 優異的開關性能,適合高頻工作
- 高可靠性和耐高溫特性,支持更廣泛的工業應用
- 雙N通道配置,適合更複雜的電源管理設計
領域和模塊應用:
應用領域和模組
SI7212DN-VB 具備較低的RDS(ON)和較高的漏電流承載能力,適用於各種高效電源轉換和電流控制的應用。以下是該MOSFET的一些典型應用領域和模組:
1. **DC-DC電源轉換器**:
SI7212DN-VB 可在DC-DC轉換器中作為開關元件工作,尤其是在需要高電流和低功率損失的場合。其低RDS(ON)特性有助於減少轉換過程中的熱損耗,提高整體能效。
2. **電池管理系統(BMS)**:
在電池管理系統中,SI7212DN-VB 可用於電池充放電控制。其高電流承載能力和低導通電阻使得它在高效電流控制中表現優異,保證了電池的安全與性能。
3. **電動工具和電池供電設備**:
該MOSFET在電動工具、電動自行車、電動滑板車等電池驅動設備中應用廣泛。它能夠高效控制電池的充放電過程,減少能量損失,提升設備的續航和效率。
4. **功率管理系統**:
在現代電子設備中,SI7212DN-VB 可用於各種功率管理模組,如電源管理積體電路(PMIC)和高效能電源轉換模組。其低RDS(ON)值能夠有效降低功率損失,使系統在高頻和大電流條件下保持高效能。
5. **電機驅動系統**:
在電機控制系統中,特別是高功率電機驅動系統,SI7212DN-VB 的高電流承載能力和優異的開關性能使其成為理想選擇。其高效的開關控制能夠減少驅動系統中的能量損失,並提高電機的性能。
6. **光伏逆變器(PV Inverter)**:
SI7212DN-VB 也非常適合用於光伏系統中的DC-AC逆變器模組。其低RDS(ON)特性能夠在太陽能逆變器中提供穩定的電流控制,提升系統的轉換效率,並減少由於功率損耗產生的熱量。
7. **工業自動化設備**:
在工業自動化系統中,SI7212DN-VB 可用於電動機驅動、運動控制、以及其他需要高電流控制的高功率應用。它能夠處理大電流且保持低能量損耗,提升工業設備的整體效率。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性