產品參數:
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
| DFN8(5X6) |
Single-N |
30V |
|
1.7V |
80A |
|
|
7mΩ |
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VCE |
VGE |
VGEth(V) |
VCEsat15V |
ICE |
Technology |
| DFN8(5X6) |
Single-N |
|
|
|
|
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds18 |
Technology |
| DFN8(5X6) |
Single-N |
30V |
|
1.7V |
80A |
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds6 |
Technology |
| DFN8(5X6) |
Single-N |
30V |
|
1.7V |
80A |
|
Trench |
詳細參數說明
- **型號**:SI7384DP-T1-GE3-VB
- **封裝類型**:DFN8(5X6)
- **配置**:單N通道(Single-N-Channel)
- **漏源電壓(VDS)**:30V
- **柵源電壓(VGS)**:±20V
- **開關閾值電壓(Vth)**:1.7V
- **導通電阻(RDS(ON))**:
- @VGS = 4.5V:9mΩ
- @VGS = 10V:7mΩ
- **最大漏電流(ID)**:80A
- **功率耗散**:1W(典型值)
- **工作溫度範圍**:-55°C 至 +150°C
- **封裝尺寸**:DFN8(5X6)
- **技術**:Trench
**特性**:
- 超低導通電阻,提升系統效率並降低熱損耗
- 高電流承載能力,最大漏電流達到80A
- 快速開關特性,適合高頻應用
- 適應高溫環境,保證穩定性
- 優化電源管理,適用於電池和電動設備
領域和模塊應用:
應用領域和模組
SI7384DP-T1-GE3-VB 是一款具有高電流承載能力和低功率損耗的MOSFET,適合用於多種高效電源管理和驅動系統。以下是該MOSFET的典型應用領域和模組:
1. **DC-DC 電源轉換器**:
在DC-DC轉換器中,SI7384DP-T1-GE3-VB作為開關元件使用,其低導通電阻有效地減少轉換損耗,從而提高轉換效率。特別適合用於高頻、大電流應用,如工業電源、電池管理和汽車電源模組。
2. **電池管理系統(BMS)**:
由於具有高電流能力和低RDS(ON),該MOSFET特別適合電池充放電管理。能夠確保電池管理系統高效且可靠地控制電池的充電和放電過程,確保系統的安全性和能效。
3. **電動工具和電動設備**:
SI7384DP-T1-GE3-VB 能在電動工具和電動設備中提供出色的電流開關和控制功能。其低導通電阻有助於降低功率損耗,在提升電池續航的同時確保電動工具的高效運作。
4. **電機驅動系統**:
在電動機控制系統中,該MOSFET可以穩定地控制電流流向,幫助優化電機效率。適用於無刷直流電機(BLDC)、步進電機以及伺服電機的驅動系統,特別是在需要高電流和低功率損耗的場合。
5. **汽車電源管理系統**:
在現代汽車中,SI7384DP-T1-GE3-VB可用於電池管理、電動驅動系統以及高效電源轉換器。特別適用於電動汽車(EV)和混合動力汽車(HEV)中的電池系統和電力轉換系統,提升電動汽車的整體能效。
6. **工業電源模組**:
該MOSFET非常適合工業電源模組,尤其是需要高電流、低損耗和高可靠性的應用。適用於電力調節、能源轉換和高效能電源分配系統中。
7. **功率管理模組**:
SI7384DP-T1-GE3-VB 可用於高效功率管理模組,能夠支持高電流負載的開關和調節,提升系統穩定性和能效。
8. **太陽能逆變器**:
在太陽能發電系統中,該MOSFET能夠高效地轉換DC到AC,優化太陽能逆變器的整體效率,適合處理大功率輸出。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性