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SI7456DP-T1-GE3-VB 產品詳細

產品簡介:

SI7456DP-T1-GE3-VB MOSFET 產品簡介

SI7456DP-T1-GE3-VB 是一款單 N 通道 MOSFET,採用 DFN8 (5x6) 封裝,具有 100V 的漏源電壓(VDS),專為高效電源轉換、負載開關和功率管理應用設計。其柵源電壓(VGS)為 ±20V,柵閾值電壓(Vth)為 1.8V,適用於低電壓驅動的電路。該 MOSFET 在 VGS = 10V 時具有非常低的導通電阻(RDS(ON) = 17mΩ),能有效減少導通損耗,提升整體系統的效率。其最大漏電流(ID)為 30A,適合用於較大電流負載的應用,特別是在要求高效能與低功耗的領域中。SI7456DP-T1-GE3-VB 採用深溝槽(Trench)技術,具有出色的開關性能、低導通損耗和高可靠性,適用於電池管理、電動工具、電源模組以及汽車電子等應用。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
DFN8(5X6) Single-N 100V 1.8V 30A 17mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
DFN8(5X6) Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
DFN8(5X6) Single-N 100V 1.8V 30A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
DFN8(5X6) Single-N 100V 1.8V 30A Trench
SI7456DP-T1-GE3-VB MOSFET 詳細參數說明

- **封裝**:DFN8 (5x6)
- **配置**:單 N 通道
- **漏源電壓 (VDS)**:100V
- **柵源電壓 (VGS)**:±20V
- **柵閾值電壓 (Vth)**:1.8V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:17mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏電流 (ID)**:30A
- **技術**:Trench(深溝槽技術),具有較低的導通電阻和開關損耗,優化了電流傳導效率和系統穩定性。

領域和模塊應用:

SI7456DP-T1-GE3-VB MOSFET 應用領域與模組

1. **電源轉換與電源管理**:
SI7456DP-T1-GE3-VB 在電源轉換模組中表現出色,特別是在高效 DC-DC 轉換器、升壓與降壓轉換器以及電壓調節模組中。由於其低導通電阻和高電流承載能力,能夠有效提高電力轉換效率,減少系統中的熱量生成,廣泛應用於需要高效能和低功耗的電源管理系統中。

2. **電池管理系統 (BMS)**:
在電池管理系統中,特別是在電動汽車(EV)和儲能系統中,SI7456DP-T1-GE3-VB 能夠承擔電池充放電管理的角色。它的低導通電阻減少了電池管理中的功率損失,提升了電池的充放電效率,並且延長了電池的使用壽命。無論是用於電池保護電路,還是作為電池能量控制系統中的開關元件,SI7456DP-T1-GE3-VB 都是理想選擇。

3. **電動工具與電機驅動**:
在電動工具中,SI7456DP-T1-GE3-VB 可用於電機驅動和電源控制。該 MOSFET 由於其高電流承載能力和低導通電阻,能夠為電動工具提供穩定、高效的功率供應,減少電機運行過程中的功率損耗,提升工具的性能和電池續航。

4. **汽車電子(電動汽車、HEV)**:
在電動汽車(EV)和混合動力汽車(HEV)的電源系統中,SI7456DP-T1-GE3-VB 是電池管理和電動機驅動控制中不可或缺的組件。它的高電流處理能力與低損耗特性使其成為電動汽車高效電源模組、驅動系統和能量管理系統中的理想選擇。

5. **智能家居與工業控制系統**:
在智能家居和工業自動化中,SI7456DP-T1-GE3-VB 可用於電源轉換、負載開關和功率管理模組。它的高效開關性能和低導通電阻使其適用於各種家用電器、電源適配器、燈光控制、自動化設備中的電源管理模組,提高了整體能效並降低了系統成本。

6. **太陽能逆變器與儲能系統**:
在太陽能發電和儲能系統中,SI7456DP-T1-GE3-VB 可以作為太陽能逆變器中的功率轉換開關。由於其低導通電阻和高效能,能夠最大化太陽能電池板的能量轉化效率,減少功率損失,從而提高光伏發電系統的整體效率。

7. **高頻電源與電力系統**:
由於其高頻開關能力,SI7456DP-T1-GE3-VB 也適用於高頻電源和電力系統中,如通信設備的電源模組,甚至一些工業電源轉換器。在這些應用中,MOSFET 能夠提供快速的開關性能,降低開關損耗,並提高電源的整體穩定性與效率。

*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

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