產品參數：
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
| DFN8(3X3) |
Single-N |
30V |
|
1.7V |
30A |
|
|
13mΩ |
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VCE |
VGE |
VGEth(V) |
VCEsat15V |
ICE |
Technology |
| DFN8(3X3) |
Single-N |
|
|
|
|
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds18 |
Technology |
| DFN8(3X3) |
Single-N |
30V |
|
1.7V |
30A |
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds6 |
Technology |
| DFN8(3X3) |
Single-N |
30V |
|
1.7V |
30A |
|
Trench |
**SI7806DN-T1-GE3-VB MOSFET 詳細參數說明**
- **型號**: SI7806DN-T1-GE3-VB
- **封裝**: DFN8 (3x3)
- **配置**: 單極性 N 通道
- **漏源電壓（VDS）**: 30V
- **柵源電壓（VGS）**: ±20V
- **柵極閾值電壓（Vth）**: 1.7V
- **導通電阻（RDS(ON)）**:
- 19mΩ @ VGS = 4.5V
- 13mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流（ID）**: 30A
- **技術**: Trench
- **最大功率耗散**: 60W（根據環境和冷卻條件）
- **最大門極電荷（Qg）**: 15nC
- **最大漏極電荷（Qd）**: 45nC
- **工作溫度範圍**: -55°C 到 +150°C
- **輸入電容（Ciss）**: 1800pF（典型值）
SI7806DN-T1-GE3-VB 提供較低的導通電阻，在高電流下表現穩定，適用於電池管理、電源轉換和負載開關等多個高效能應用。
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領域和模塊應用：
**SI7806DN-T1-GE3-VB MOSFET 適用領域和模組示例**
1. **電源管理與電壓轉換模組**
SI7806DN-T1-GE3-VB 由於其低導通電阻和高電流承載能力，廣泛應用於電源管理模組和電壓轉換器（如 DC-DC 轉換器）。其高效開關性能有助於減少功率損耗，提高電源轉換效率，特別適用於移動設備、電源適配器和電池供電設備。
2. **電池管理系統（BMS）**
在電池管理系統中，SI7806DN-T1-GE3-VB 提供高效的電流開關能力，適用於電池充電和放電管理。它可用於電動汽車、可攜式電子設備以及能源存儲系統中，通過高效的電流控制保證系統穩定、可靠的運行。
3. **電動工具和家電應用**
SI7806DN-T1-GE3-VB MOSFET 適用於電動工具和家電中的電源開關、負載開關控制等應用。其低導通電阻（13mΩ @ VGS=10V）能夠有效減少電流控制中的功率損耗，從而提高整體系統的效率和穩定性，特別是在需要頻繁開關的高功率應用中。
4. **汽車電子模組**
在汽車電子領域，特別是電動汽車和混合動力汽車中，SI7806DN-T1-GE3-VB 用於電池管理系統、電動驅動系統、充電管理模組等關鍵部分。該 MOSFET 在這些應用中為電池充電、功率轉換以及負載控制提供高效能支持，幫助提升電動汽車的續航和能效。
5. **負載開關與功率分配系統**
由於其高電流承載能力，SI7806DN-T1-GE3-VB 適合用於負載開關與功率分配系統中。在這些系統中，MOSFET 可用於快速切換負載，並實現高效能的電流分配，廣泛應用於電源模組、通信設備、以及高功率電子設備中。
6. **可調電源與負載調節模組**
SI7806DN-T1-GE3-VB 可以用於可調電源和負載調節模組，幫助精確調節電流輸出，尤其是在需要低功耗和高效率的應用中。其優異的開關性能和低導通電阻使其在這些模組中表現突出，適合用於精密電源調節和動態負載控制系統。
*請注意：以上只是示例應用場景，具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時，請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性
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