產品參數：
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
| DFN8(5X6) |
Single-N |
40V |
|
2.5V |
70A |
|
|
4.7mΩ |
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VCE |
VGE |
VGEth(V) |
VCEsat15V |
ICE |
Technology |
| DFN8(5X6) |
Single-N |
|
|
|
|
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds18 |
Technology |
| DFN8(5X6) |
Single-N |
40V |
|
2.5V |
70A |
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds6 |
Technology |
| DFN8(5X6) |
Single-N |
40V |
|
2.5V |
70A |
|
Trench |
詳細參數說明
- **VDS（漏極-源極電壓）：** 40V
- 支持最大40V的漏極-源極電壓，適用於中等電壓等級的應用，提供更強的電流控制能力。
- **VGS（柵源電壓）：** ±20V
- 最大柵源電壓為±20V，確保該MOSFET能夠在多種常見的驅動電路中穩定工作。
- **Vth（閾值電壓）：** 2.5V
- MOSFET的閾值電壓為2.5V，意味著其在柵源電壓為2.5V時開始導通，適合低電壓系統的高效控制。
- **RDS(ON)（導通電阻）：**
- 6mΩ（VGS=4.5V）
- 4.7mΩ（VGS=10V）
- 導通電阻非常低，這意味著在高電流流動時，該MOSFET會顯著減少功率損耗，提升整體系統效率，並減少熱量產生。
- **ID（漏極電流）：** 70A
- 最大漏極電流為70A，適合用於大電流負載的開關控制，能夠承受大功率負載而不出現過熱或失效問題。
- **技術：** 溝槽型（Trench）
- 採用先進的溝槽型技術，提供低導通電阻、高開關速度和高效能，使其在電源轉換和高頻開關應用中表現突出。
領域和模塊應用：
應用領域及模組舉例
1. **DC-DC轉換器：**
SI7848DP-T1-GE3-VB MOSFET非常適用於DC-DC轉換器中作為開關元件。其低導通電阻和高電流承載能力使得它能夠在高效的電源轉換中發揮重要作用，特別是在低電壓、大電流的場景下，能夠減少功率損耗，提高轉換效率。
2. **電源管理系統：**
在電源管理系統中，這款MOSFET的低RDS(ON)特性使其能夠有效地調節電流，優化電源的能效，特別是在電池管理、負載開關等應用中，能夠提供穩定的功率供應，減少不必要的能量損耗。
3. **電池充電器：**
由於其低導通電阻和較高的漏極電流能力，SI7848DP-T1-GE3-VB MOSFET非常適合用於電池充電器。它能夠在充電過程中提供高效的電流控制，減少充電過程中的功率損耗，提升整體充電速度和效率，同時降低溫升。
4. **電動工具和家電：**
在電動工具、電動家電等高功率電氣設備中，SI7848DP-T1-GE3-VB MOSFET能夠承受高電流（最大70A），用於驅動電機或其他大功率組件。其優異的導電性能和低功率損耗幫助這些設備提高能效，延長使用壽命。
5. **電動汽車充電系統：**
電動汽車充電系統通常需要高效、穩定的電源轉換和電流控制。SI7848DP-T1-GE3-VB MOSFET能夠在電動汽車充電過程中高效工作，通過其低導通電阻和高電流承載能力，實現高效充電和能量管理，減少充電過程中產生的熱量和損耗。
6. **功率因數校正（PFC）模組：**
SI7848DP-T1-GE3-VB MOSFET也適用於功率因數校正（PFC）模組，尤其是在需要大電流、高效能的電源系統中。它能夠在PFC電路中提供高效的開關控制，改善電源的功率因數，減少能量浪費，提升電源系統的整體效率。
7. **LED驅動電源：**
在LED驅動電源中，SI7848DP-T1-GE3-VB MOSFET能夠提供高效的電流調節，確保LED燈具的高亮度和長壽命。低RDS(ON)特性減少了開關時的能量損耗，確保LED驅動器具有優異的能效和熱管理。
*請注意：以上只是示例應用場景，具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時，請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性
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