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SI7860DP-T1-GE3-VB 產品詳細

產品簡介:

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SI7860DP-T1-GE3-VB 是一款高性能單N溝道MOSFET,採用DFN8(5X6)封裝,專為低電壓、高電流、高效電源管理系統設計。它具有30V的漏源電壓,能夠承載高達80A的漏電流,適用於要求小型化、高效能的電源系統。該MOSFET具有非常低的導通電阻,使其在電源轉換過程中能夠最大限度減少功耗和熱量生成,確保設備的長時間穩定運行,特別適合用於高頻、高效的電源應用。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
DFN8(5X6) Single-N 30V 1.7V 80A 7mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
DFN8(5X6) Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
DFN8(5X6) Single-N 30V 1.7V 80A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
DFN8(5X6) Single-N 30V 1.7V 80A Trench
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- **封裝**:DFN8 (5X6)
- **配置**:單N溝道
- **漏源電壓(VDS)**:30V
- **柵源電壓(VGS)**:±20V
- **門檻電壓(Vth)**:1.7V
- **導通電阻(RDS(ON))**:
- 9mΩ@VGS=4.5V
- 7mΩ@VGS=10V
- **最大漏電流(ID)**:80A
- **技術類型**:Trench(溝槽技術)

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領域和模塊應用:

示例**
SI7860DP-T1-GE3-VB 具有優異的性能,廣泛應用於多個高效電源系統。在**電源管理系統**中,低導通電阻使其能夠提供高效的電能傳輸,減少損耗,特別適用於需要高效率和低功耗的小型電源轉換器。例如,它非常適合用於**DC-DC轉換器**,通過降低功率損耗來提高轉換效率,常見於可攜式設備、工業自動化和消費電子設備中。

在**電池管理系統(BMS)**中,SI7860DP-T1-GE3-VB 作為負載開關或電源開關能夠高效地處理充電和放電過程,確保電池的安全性並提升整體系統的運行效率,廣泛應用於電動汽車、電動工具以及智能家居系統中。

此外,該MOSFET還適用於**電機驅動模組**,特別是在驅動小型無刷直流電機(BLDC)時,由於其高電流承載能力,它能夠提供穩定的電流傳輸和回應能力,適用於智能家居電器、機器人、無人機等領域。在這些應用中,SI7860DP-T1-GE3-VB 提供了出色的性能和高效的電流開關,確保設備能夠高效運行並延長使用壽命。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

技術支援:

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