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SI7864ADP-T1-GE3-VB 產品詳細

產品簡介:

**SI7864ADP-T1-GE3-VB MOSFET 產品簡介**

SI7864ADP-T1-GE3-VB 是一款基於 Trench 技術的單極性 N 通道 MOSFET,封裝採用 DFN8(5x6) 封裝,專為高電流、大功率應用設計。該 MOSFET 的最大漏源電壓(VDS)為 30V,支持最大漏極電流(ID)達到 160A,適用於需要高電流切換的應用。其柵極閾值電壓(Vth)為 1.7V,能夠在較低的柵電壓下實現高效開關操作。該 MOSFET 在 VGS=10V 時具有極低的導通電阻(RDS(ON))僅為 1.8mΩ,在 VGS=4.5V 時為 2.5mΩ,確保高效的電流傳輸和低功率損耗,廣泛應用於高效電源轉換、電池管理、電動工具、汽車電子等領域,滿足對大電流處理和低能量損耗的需求。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
DFN8(5X6) Single-N 30V 1.7V 160A 1.8mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
DFN8(5X6) Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
DFN8(5X6) Single-N 30V 1.7V 160A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
DFN8(5X6) Single-N 30V 1.7V 160A Trench
**SI7864ADP-T1-GE3-VB MOSFET 詳細參數說明**

- **型號**: SI7864ADP-T1-GE3-VB
- **封裝**: DFN8 (5x6)
- **配置**: 單極性 N 通道
- **漏源電壓(VDS)**: 30V
- **柵源電壓(VGS)**: ±20V
- **柵極閾值電壓(Vth)**: 1.7V
- **導通電阻(RDS(ON))**:
- 2.5mΩ @ VGS = 4.5V
- 1.8mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流(ID)**: 160A
- **技術**: Trench
- **最大功率耗散**: 200W(根據環境條件)
- **最大門極電荷(Qg)**: 60nC
- **最大漏極電荷(Qd)**: 200nC
- **工作溫度範圍**: -55°C 到 +150°C
- **輸入電容(Ciss)**: 3000pF(典型值)

SI7864ADP-T1-GE3-VB 的低導通電阻、高電流承載能力使其在高效電源管理和大功率應用中表現優異。該 MOSFET 能有效降低開關損耗,適合要求高效率和低功率損耗的場景。

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領域和模塊應用:

**SI7864ADP-T1-GE3-VB MOSFET 適用領域和模組示例**

1. **高效電源管理系統**
SI7864ADP-T1-GE3-VB 適用於各種高效電源轉換應用,如 DC-DC 轉換器、電源模組、電池充電器等。由於其低導通電阻和高電流處理能力,它能夠有效減少電源模組中的功率損耗,提高整體系統的能效,特別適合用於大功率電源和高效的電源轉換。

2. **電池管理系統(BMS)**
在電池管理系統中,SI7864ADP-T1-GE3-VB 可用於電池的充電和放電控制。其高電流承載能力(最大 160A)和低導通電阻,使其在電動汽車(EV)、電動工具、可攜式設備及儲能系統中,提供高效能的電流管理,並且在電池保護和充電路徑中保證較低的損耗和高效的電能傳輸。

3. **電動工具與家電**
在電動工具、家用電器及其他高功率應用中,SI7864ADP-T1-GE3-VB 提供了快速、高效的負載開關控制。其低導通電阻(1.8mΩ @ VGS=10V)使其能夠在設備啟動時有效降低損耗,確保系統平穩運行,廣泛應用於電動工具、自動化設備以及大功率家電中。

4. **電動汽車(EV)和混合動力汽車(HEV)**
在電動汽車和混合動力汽車中,SI7864ADP-T1-GE3-VB 可用於電池管理、電動驅動系統以及電動汽車的充電管理模組。它的高電流承載能力和低導通電阻使其在電池管理系統(BMS)中表現突出,確保電動汽車系統的高效電源管理,提高續航能力,並且優化充電和放電效率。

5. **功率放大器與射頻應用**
SI7864ADP-T1-GE3-VB 可以在高頻功率放大器和射頻應用中用作高效電流開關。這對於要求低導通電阻和快速開關的功率調節和放大系統,特別是通信設備中的高效功率轉換應用至關重要。該 MOSFET 在射頻功率放大器中可用於電流的高效切換和放大。

6. **可調電源與負載調節模組**
由於其極低的導通電阻,SI7864ADP-T1-GE3-VB 特別適用於可調電源和負載調節模組。在這些應用中,MOSFET 可以幫助精確調節電流和電壓,保證高效的負載切換和電流控制,適合用於精密電源系統、可編程電源以及各種電源調節和電流分配的場景。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

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