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SiHP15N60E-E3-VB 產品詳細

產品簡介:

1. 產品簡介(SiHP15N60E-E3-VB)

SiHP15N60E-E3-VB 是一款單N溝道MOSFET,採用 TO220 封裝,設計用於高電壓、高功率應用。該 MOSFET 的最大漏源電壓(VDS)為 650V,柵極源電壓(VGS)為 ±30V,閾值電壓(Vth)為 3.5V,能夠承受高達 20A 的漏極電流(ID)。其導通電阻(RDS(ON))在 VGS = 10V 時為 160mΩ,確保在功率轉換過程中具有較低的導通損耗。SiHP15N60E-E3-VB 採用了 SJ_Multi-EPI 技術,有助於提升開關性能和電流承載能力,同時降低電流傳輸中的能量損耗。它非常適合用於高電壓、高效率的功率開關、電源管理及工業驅動控制等應用。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 650V 3.5V 20A 160mΩ SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 650V 3.5V 20A SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 650V 3.5V 20A SJ_Multi-EPI
2. 詳細參數說明

- **型號**: SiHP15N60E-E3-VB
- **封裝**: TO220
- **配置**: 單N溝道MOSFET
- **最大漏源電壓 (VDS)**: 650V
- **柵極源電壓 (VGS)**: ±30V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 160mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**: 20A
- **技術**: SJ_Multi-EPI
- **最大功率耗散**: 150W(依賴於具體散熱條件)
- **最大脈衝漏極電流 (IDM)**: 80A
- **開關時間**:
- 開關時間:典型的開關時間(tD(on)、tD(off)、tR、tF)可通過測試獲得
- 適用於高頻、高速開關應用
- **工作溫度範圍**: -55°C 至 +150°C
- **柵極電荷 (Qg)**: 160nC @ VGS = 10V
- **電氣隔離**: 適合用於高電壓環境下的應用

領域和模塊應用:

3. 應用領域與模組

#### 電源供應與功率轉換
SiHP15N60E-E3-VB 由於其能夠承受高達 650V 的漏源電壓,非常適合用於高電壓的電源供應系統,特別是在開關電源、DC-AC 逆變器、AC-DC 適配器等應用中。其較低的導通電阻和良好的開關性能幫助提升系統的轉換效率,減少熱量損耗。尤其是在工業電源、電力電子設備以及不間斷電源(UPS)中,能夠提供高效、穩定的功率轉換。

#### 工業驅動系統與電動工具
該MOSFET適合用於各種工業驅動系統,尤其是在電動機控制、電動工具及其他功率控制設備中。由於其耐高壓能力和大電流承載能力,SiHP15N60E-E3-VB 能夠提供精確的電流調節和高效的功率切換,確保電動工具和自動化控制系統在高負載下可靠工作。在電動工具驅動電路中,SiHP15N60E-E3-VB 可作為開關組件,提高系統的運行效率和穩定性。

#### 電動汽車與電池管理系統(BMS)
SiHP15N60E-E3-VB 可應用於電動汽車(EV)和混合動力汽車(HEV)的電池管理系統。MOSFET 在這些領域中通常用於電池充放電控制和電池組電流調節,確保電池的高效能量管理。它在電動汽車的動力系統和電池管理系統中提供穩定的電力調度,並幫助減少能量損失,提升電池壽命。

#### 可再生能源系統(如太陽能逆變器)
SiHP15N60E-E3-VB 還適用於可再生能源系統中的功率轉換應用,特別是在太陽能逆變器中。在太陽能發電系統中,MOSFET 主要用於將直流電(DC)轉換為交流電(AC),使得太陽能電池板產生的電力可以供家庭或工業設備使用。SiHP15N60E-E3-VB 提供高電壓承受能力和低導通電阻,在高效能轉換過程中減少損耗並提高可靠性。

#### 高電壓開關與逆變器應用
在高電壓開關和逆變器應用中,SiHP15N60E-E3-VB 由於其650V的漏源電壓能力,能夠處理較大的電壓波動,並且在開關過程中保持較低的功率損失。在工業逆變器、焊接電源、變頻驅動器等系統中,它能夠實現穩定的電力控制,適用於負載電流變化頻繁的場景。

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**總結**
SiHP15N60E-E3-VB 是一款高效、可靠的 N 溝道 MOSFET,適合用於高電壓、高功率的應用場景。無論是在電源轉換、電動工具驅動、電池管理系統,還是可再生能源系統和高電壓開關控制中,它都能提供卓越的性能,確保系統穩定、節能並延長設備的使用壽命。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

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