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SIHP7N60E-GE3-VB 產品詳細

產品簡介:

1. 產品簡介(SIHP7N60E-GE3-VB)

SIHP7N60E-GE3-VB 是一款單N溝道MOSFET,採用TO220封裝,適用於高電壓、高功率應用。它具有650V的最大漏源電壓(VDS),柵源電壓(VGS)可承受±30V,適合在高壓電源系統中使用。此MOSFET的導通電阻(RDS(ON))為500mΩ @VGS = 10V,漏極電流(ID)為9A,採用了先進的SJ_Multi-EPI技術,旨在提供較低的導通電阻、較高的電流承載能力和更高的可靠性。SIHP7N60E-GE3-VB具有較低的開關損耗,能夠在高頻率的開關應用中提供穩定的性能,廣泛應用於電源轉換、電動工具、工業驅動系統及其他功率控制領域。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 650V 3.5V 9A 500mΩ SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 650V 3.5V 9A SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 650V 3.5V 9A SJ_Multi-EPI
2. 詳細參數說明

- **型號**: SIHP7N60E-GE3-VB
- **封裝**: TO220
- **配置**: 單N溝道MOSFET
- **最大漏源電壓 (VDS)**: 650V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±30V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 500mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**: 9A
- **最大脈衝漏極電流 (IDM)**: 30A
- **功率耗散 (Ptot)**: 50W(具體取決於散熱條件)
- **技術**: SJ_Multi-EPI(增強型多晶結構,提升了電流承載能力和開關性能)
- **開關時間 (tD(on), tD(off), tR, tF)**: 典型開關時間可在數據手冊中查閱,適合高頻開關應用
- **柵極電荷 (Qg)**: 60nC @ VGS = 10V(典型值)
- **工作溫度範圍**: -55°C 至 +150°C
- **最大工作溫度**: +150°C
- **散熱要求**: 散熱器要求(具體使用時根據負載條件選配)

領域和模塊應用:

3. 應用領域與模組

#### 電源管理與開關電源
SIHP7N60E-GE3-VB 主要用於電源管理和開關電源系統。由於其650V的最大漏源電壓,它能夠適應高電壓應用,如AC-DC 電源轉換器、DC-DC 轉換器、逆變器等。此MOSFET在電源電路中可以通過高效的導通和低損耗的開關性能,幫助提升系統的效率,減少功率損耗,特別適合用於工業電源、電腦電源供應以及LED驅動電源等。

#### 工業驅動與電動工具
在電動工具和電動機控制領域,SIHP7N60E-GE3-VB 提供了穩定的電流調節和高電流承載能力,適用於各種高電壓驅動控制應用。例如,在電動工具驅動電路、電動電池充電器中,MOSFET能夠確保系統的快速回應和高效能,減少電能損失,提高設備的可靠性。

#### 電動汽車與混合動力汽車(HEV)
SIHP7N60E-GE3-VB 可廣泛應用於電動汽車(EV)和混合動力汽車(HEV)的電池管理系統(BMS)及電機驅動系統中。該MOSFET的高電壓耐受能力和優越的開關性能使其非常適合在電動汽車中的動力控制、逆變器以及電池保護電路中使用,有助於提高電動汽車的能效並延長電池使用壽命。

#### 可再生能源系統(如太陽能逆變器)
太陽能發電系統中的逆變器需要高效的功率轉換和高電壓承受能力。SIHP7N60E-GE3-VB 由於其650V的耐壓能力,適用於太陽能逆變器的設計。在太陽能發電系統中,這款MOSFET能夠有效地將直流電(DC)轉換為交流電(AC),使得電力可以並網並供家庭或工業使用,提升太陽能系統的整體效率和穩定性。

#### 高功率電氣控制系統
在電氣控制系統中,尤其是高功率應用領域,SIHP7N60E-GE3-VB能夠提供更好的開關控制和較低的導通損耗。它適用於用於電力變換、負載切換、脈衝功率控制等高壓電力系統,並確保高效率的電力流轉。此MOSFET在工業自動化設備、開關控制設備中有著廣泛應用,尤其是要求高電壓和大電流的環境。

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**總結**
SIHP7N60E-GE3-VB 是一款高電壓耐受、低導通損耗的N溝道MOSFET,適用於高電壓和高功率要求的場景。其650V的耐壓能力、500mΩ的導通電阻以及9A的漏極電流能力,使其在電源轉換、電動工具、電動汽車、太陽能逆變器以及高功率控制系統等多個領域中都能提供卓越的性能,滿足高效能和高可靠性需求。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

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