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SIR316DP-T1-GE3-VB 產品詳細

產品簡介:

SIR316DP-T1-GE3-VB MOSFET 產品簡介

SIR316DP-T1-GE3-VB 是一款高性能的 N-溝道 MOSFET,採用 DFN8 (5x6mm) 封裝,專為高效功率開關和低導通損耗設計。其最大漏源電壓 (VDS) 為 30V,柵源電壓 (VGS) 可在 ±20V 範圍內工作,適合用於要求低電壓和高電流的應用。該 MOSFET 採用 Trench 技術,具有非常低的導通電阻(RDS(ON) 為 7mΩ @ VGS = 10V),可提供非常高的電流承載能力(最大漏電流為 80A)。其低 RDS(ON) 值有助於顯著減少導通損耗,提高效率,特別適合於電源管理和功率轉換應用中。

SIR316DP-T1-GE3-VB MOSFET 特別適合用於高頻、高功率的電子設備中,能夠在保證高性能的同時,提供低功耗和長時間的可靠性。其極小的封裝尺寸(DFN8 封裝)使得該 MOSFET 適用於空間有限的應用場景,特別是在現代移動設備、通信設備、以及高效電源設計中,具有顯著的優勢。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
DFN8(5X6) Single-N 30V 1.7V 80A 7mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
DFN8(5X6) Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
DFN8(5X6) Single-N 30V 1.7V 80A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
DFN8(5X6) Single-N 30V 1.7V 80A Trench
SIR316DP-T1-GE3-VB MOSFET 詳細參數說明

- **封裝類型**:DFN8 (5x6mm)
- **配置**:單 N-溝道
- **最大漏源電壓 (VDS)**:30V
- **柵源電壓 (VGS)**:±20V
- **開通電壓 (Vth)**:1.7V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- 9mΩ @ VGS = 4.5V
- 7mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏電流 (ID)**:80A
- **技術**:Trench 技術
- **封裝尺寸**:5mm x 6mm (DFN8)

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領域和模塊應用:

適用領域與模組舉例

1. **高效電源轉換**
- **應用場景**:SIR316DP-T1-GE3-VB 由於其非常低的導通電阻和高電流承載能力,非常適合用於高效電源轉換電路。在高頻開關電源(SMPS)中,MOSFET 可作為開關元件,用於將電能從輸入轉換為適合負載需求的電壓和電流。其低 RDS(ON) 使其能夠在保持較低損耗的同時,高效轉換電能,廣泛應用於移動設備電源、電池充電器、以及通信設備電源中。

2. **DC-DC 轉換器**
- **應用場景**:該 MOSFET 適用於 DC-DC 轉換器的輸出開關應用。在這些模組中,MOSFET 被用來控制電流的流向和電壓變化。由於 SIR316DP-T1-GE3-VB 能夠承受 80A 的大電流並具有極低的導通電阻,它能夠在高效轉換過程中減少能量損失,適用於電源管理系統、可攜式電源設備以及高效電池充電系統。

3. **電池管理系統 (BMS)**
- **應用場景**:在電池管理系統中,MOSFET 作為控制電池充放電過程的關鍵組件。SIR316DP-T1-GE3-VB 的高電流承載能力和低 RDS(ON) 特性使其特別適用於處理電池電流並管理電池充電與放電迴圈。它能夠有效地進行電池的過充保護、過放保護和均衡管理,確保電池在各種工作條件下安全、穩定地運行。

4. **電動工具和便攜設備**
- **應用場景**:SIR316DP-T1-GE3-VB 也適用於電動工具和其他高功率便攜設備的電源開關管理。在電動工具中,MOSFET 被用來提供精確的電流控制,確保電機和驅動系統能夠獲得穩定、可靠的電源供應。低導通電阻使得在這些應用中功率損耗最小化,提升了設備的使用效率。

5. **通信設備**
- **應用場景**:由於 SIR316DP-T1-GE3-VB 的低功耗和高電流承載能力,它也非常適用於通信設備中的功率放大器和射頻(RF)功率放大器。MOSFET 能夠在這些高頻應用中實現高效的功率轉換和信號放大,適用於無線通信基站、衛星通信設備以及高速數據傳輸設備。

6. **汽車電子**
- **應用場景**:該 MOSFET 還可以在汽車電子領域中發揮作用,特別是在電動汽車的電池管理系統(BMS)和電源轉換模組中。由於其出色的電流處理能力和低損耗特性,SIR316DP-T1-GE3-VB 適用於電動汽車的充電控制、電力分配單元(PDU)、以及其他高功率電源系統。

總結來說,SIR316DP-T1-GE3-VB 是一款高效的低電壓、高電流 MOSFET,特別適用於高頻開關、功率轉換、電池管理、通信設備等多個領域。其低導通電阻、高電流能力和小巧的封裝使其在空間有限和要求高效功率轉換的應用中表現出色,尤其適用於移動設備、可攜式電源、電池充電器等場合。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

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