產品參數：
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
| DFN8(5X6) |
Single-N |
30V |
|
1.7V |
80A |
|
|
7mΩ |
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VCE |
VGE |
VGEth(V) |
VCEsat15V |
ICE |
Technology |
| DFN8(5X6) |
Single-N |
|
|
|
|
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds18 |
Technology |
| DFN8(5X6) |
Single-N |
30V |
|
1.7V |
80A |
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds6 |
Technology |
| DFN8(5X6) |
Single-N |
30V |
|
1.7V |
80A |
|
Trench |
SIR428DP-T1-GE3-VB MOSFET 詳細參數說明
| **參數** | **數值** |
|----------------------|-----------------------------------|
| **型號** | SIR428DP-T1-GE3-VB |
| **封裝** | DFN8 (5x6mm) |
| **配置** | 單極 N 型 MOSFET |
| **最大漏源電壓 (VDS)** | 30V |
| **最大柵源電壓 (VGS)** | ±20V |
| **閾值電壓 (Vth)** | 1.7V |
| **導通電阻 (RDS(ON))** | 9mΩ (VGS = 4.5V) |
| **導通電阻 (RDS(ON))** | 7mΩ (VGS = 10V) |
| **最大漏極電流 (ID)** | 80A |
| **技術** | Trench 技術 |
領域和模塊應用：
SIR428DP-T1-GE3-VB MOSFET 適用領域和模組舉例
1. **高效電源管理系統**
由於其低導通電阻和高電流承載能力，**SIR428DP-T1-GE3-VB** 非常適合用於高效電源管理系統，尤其在 DC-DC 轉換器中。它能夠有效地降低功率損失，提高系統的整體效率，適用於電源適配器、工業電源模組以及移動設備中的電池充電和電源轉換。
2. **電動工具和電機驅動電路**
在電動工具、電機驅動和機器人控制系統中，**SIR428DP-T1-GE3-VB** 能夠高效地控制電動機的運行。該 MOSFET 的高電流處理能力（80A）使其適用於需要高負載電流和快速回應的應用，例如電動工具、自動化裝配線以及高效電機驅動系統。
3. **汽車電子系統**
**SIR428DP-T1-GE3-VB** 適用於電動汽車（EV）和混合動力汽車（HEV）中的電池管理系統（BMS）以及動力系統。通過其低導通電阻和高效率開關特性，該 MOSFET 有助於在高電壓和大電流環境下穩定工作，從而優化電池充電、放電和功率轉換過程。
4. **通信和網路設備電源供應**
在通信設備（如基站電源、網路交換機等）中，**SIR428DP-T1-GE3-VB** 可作為功率開關，幫助提供穩定、可靠的電源供應。它在高頻開關操作中能夠提供卓越的性能，廣泛應用於需要高效能電源和快速回應的電力轉換系統中。
5. **LED 照明驅動系統**
該 MOSFET 在 LED 照明驅動系統中也具有廣泛的應用，尤其是在需要高效功率轉換的 LED 驅動電源中。通過其低導通電阻和高電流能力，**SIR428DP-T1-GE3-VB** 能夠有效控制 LED 燈的亮度，並減少熱量的產生，優化光源效率，適用於智能照明系統和節能照明設備。
6. **電池驅動和便攜設備**
**SIR428DP-T1-GE3-VB** 也適用於便攜設備的電池管理系統，特別是在需要高效電源管理、低損耗和高電流輸出的情況下。該 MOSFET 可在移動電源、消費電子設備（如智能手機、平板電腦等）中提供穩定的電池充電和電源管理功能。
*請注意：以上只是示例應用場景，具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時，請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性
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