2. 詳細參數說明

| **參數** | **說明** |
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| **封裝** | DFN8(3x3) |
| **配置** | 單極 N-Channel |
| **VDS（漏極-源極電壓）** | 30V |
| **VGS（柵極-源極電壓）** | ±20V |
| **Vth（閾值電壓）** | 1.7V |
| **RDS(ON)（導通電阻）** | 19mΩ（VGS=4.5V時），13mΩ（VGS=10V時） |
| **ID（漏極電流）** | 30A |
| **技術** | Trench |

- **VDS（漏極-源極電壓）**：該MOSFET最大漏極-源極電壓為30V，適用於中低電壓的應用，能承受較高的電流並適合多種電源轉換和開關應用。

- **VGS（柵極-源極電壓）**：該MOSFET支持±20V的柵極電壓，能夠在高電壓工作環境下穩定運行，適合與大多數驅動電路相容。

- **Vth（閾值電壓）**：閾值電壓為1.7V，意味著該MOSFET能夠在較低的柵電壓下開始導通，適用於低電壓驅動的開關電路。

- **RDS(ON)（導通電阻）**：該MOSFET的導通電阻在VGS=4.5V時為19mΩ，在VGS=10V時為13mΩ，超低的導通電阻使得其具有極低的功率損耗，能夠提供高效的電流傳導和較低的發熱量。

- **ID（漏極電流）**：該MOSFET能夠承載最大30A的漏極電流，適合大功率負載應用，確保電源轉換系統或驅動電路在高電流條件下的穩定性。