2. 詳細參數說明

| **參數** | **說明** |
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| **封裝** | DFN8(3x3) |
| **配置** | 單極 N-Channel |
| **VDS（漏極-源極電壓）** | 30V |
| **VGS（柵極-源極電壓）** | ±20V |
| **Vth（閾值電壓）** | 1.7V |
| **RDS(ON)（導通電阻）** | 19mΩ（VGS=4.5V時），13mΩ（VGS=10V時） |
| **ID（漏極電流）** | 30A |
| **技術** | Trench |

- **VDS（漏極-源極電壓）**：該MOSFET的最大漏極-源極電壓為30V，適用於中低電壓的電源系統，能夠承受較高的電流，適合大電流開關和功率管理應用。

- **VGS（柵極-源極電壓）**：支持±20V的柵極電壓，能夠適應各種電源電路的驅動需求，具有較高的工作靈活性。

- **Vth（閾值電壓）**：閾值電壓為1.7V，使得該MOSFET能夠在較低的柵電壓下開始導通，從而提高了其效率，尤其適用於低電壓驅動的開關電路。

- **RDS(ON)（導通電阻）**：該MOSFET在VGS=4.5V時的導通電阻為19mΩ，在VGS=10V時為13mΩ，低導通電阻使得其具有更高的導電效率，減少功率損失和熱量生成，適合高效電源系統。

- **ID（漏極電流）**：該MOSFET能夠承載最大30A的漏極電流，能夠滿足高電流負載應用的需求。