2. 詳細參數說明

| **參數** | **說明** |
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| **封裝** | DFN8(5x6) |
| **配置** | 單極 N-Channel |
| **VDS（漏極-源極電壓）** | 40V |
| **VGS（柵極-源極電壓）** | ±20V |
| **Vth（閾值電壓）** | 3V |
| **RDS(ON)（導通電阻）** | 2mΩ（VGS=10V時） |
| **ID（漏極電流）** | 120A |
| **技術** | Trench |

- **VDS（漏極-源極電壓）**：最大40V，適用於中低電壓的功率轉換和開關應用，能夠提供足夠的電壓承載能力，適合多種電源管理和驅動電路。

- **VGS（柵極-源極電壓）**：支持±20V的柵電壓，可以相容多種驅動要求，適用於各種電源電路和開關應用。

- **Vth（閾值電壓）**：閾值電壓為3V，較低的閾值電壓使該MOSFET能在較低的柵電壓下快速導通，從而提高開關速度和效率。

- **RDS(ON)（導通電阻）**：該MOSFET的導通電阻在VGS=10V時為2mΩ，具有極低的導通電阻，有效減少了功率損耗，特別適合大電流、高頻率的開關電路。

- **ID（漏極電流）**：最大漏極電流為120A，能夠承載大電流，非常適合需要大功率、高電流控制的應用，能夠提供穩定的開關性能。