SM4370NSKP-VB - VBsemi MOSFETs製造商

SM4370NSKP-VB 產品詳細

描述
參數
應用
技術支援

產品簡介：

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SM4370NSKP-VB是一款採用DFN8 (5x6mm)封裝的單極N型MOSFET，適用於各種高效率和高電流應用。該器件具有30V的漏極-源極電壓（VDS），在±20V的柵極-源極電壓（VGS）下工作。SM4370NSKP-VB的RDS(ON)值在4.5V柵極電壓下為9mΩ，在10V柵極電壓下為7mΩ，漏極電流（ID）最大為80A。採用Trench技術，該MOSFET具有非常低的導通阻抗和優異的開關性能，適用於電源管理、負載開關、DC-DC轉換器等多種應用。

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產品參數：

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds2.5	Rds4.5	Rds10	Technology
DFN8(5X6)	Single-N	30V		1.7V	80A			7mΩ	Trench

VB Package	Configuration	VCE	VGE	VGEth(V)	VCEsat15V	ICE	Technology
DFN8(5X6)	Single-N						Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds18	Technology
DFN8(5X6)	Single-N	30V		1.7V	80A		Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds6	Technology
DFN8(5X6)	Single-N	30V		1.7V	80A		Trench

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- **封裝類型**：DFN8 (5x6mm)
- **配置**：單極N型
- **VDS**：30V
- **VGS**：±20V
- **Vth**：1.7V
- **RDS(ON)**：9mΩ@VGS=4.5V，7mΩ@VGS=10V
- **ID**：80A
- **技術**：Trench

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領域和模塊應用：

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SM4370NSKP-VB由於其低RDS(ON)和高漏極電流能力，非常適合用於高效的電源管理模組，如DC-DC轉換器、步進電源和負載開關。其高電流處理能力使其非常適合應用於電動汽車（EV）電池管理系統、高功率LED驅動、伺服器電源以及高效電源模組中。此外，該MOSFET還適用於消費電子產品中的電池管理、電源調節以及其他高效能應用，幫助提高系統效率並降低功耗。其出色的開關性能也使其在電力電子和自動化控制領域成為理想選擇。

*請注意：以上只是示例應用場景，具體的應用取決於系統設計的要求和條件。在使用該器件時，請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

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