產品參數:
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
| SOP8 |
Single-N |
30V |
|
1.7V |
13A |
|
|
8mΩ |
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VCE |
VGE |
VGEth(V) |
VCEsat15V |
ICE |
Technology |
| SOP8 |
Single-N |
|
|
|
|
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds18 |
Technology |
| SOP8 |
Single-N |
30V |
|
1.7V |
13A |
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds6 |
Technology |
| SOP8 |
Single-N |
30V |
|
1.7V |
13A |
|
Trench |
SM4832NSKC-TRG-VB 詳細參數說明
- **型號**:SM4832NSKC-TRG-VB
- **封裝類型**:SOP8
- **配置**:單端 N 通道 MOSFET
- **漏源電壓(VDS)**:30V
- **柵源電壓(VGS)**:±20V
- **開啟電壓(Vth)**:1.7V
- **導通電阻(RDS(ON))**:
- 4.5V 柵壓時:11mΩ
- 10V 柵壓時:8mΩ
- **最大漏電流(ID)**:13A
- **技術**:Trench
- **特性**:
- 極低的導通電阻,減少能量損耗
- 高效開關性能,適合高頻應用
- 低開啟電壓,優化開關時間和效率
- 高熱穩定性,適應苛刻工作環境
- 緊湊的 SOP8 封裝,適用於高密度電路設計
領域和模塊應用:
應用領域和模組示例
**1. 電源管理系統**
SM4832NSKC-TRG-VB 由於其低 RDS(ON) 特性和高開關效率,非常適用於電源管理系統中的 DC-DC 轉換器,尤其是在需要高效率和低功耗的應用中,例如:
- **開關電源(SMPS)**:該 MOSFET 可用於電源轉換過程中有效降低能量損耗,提升電源轉換效率。
- **電池管理系統(BMS)**:在電池管理系統中,SM4832NSKC-TRG-VB 可確保電池充放電過程中的低電流損耗,並提高系統的整體效率。
**2. 電動汽車(EV)和混合動力汽車(HEV)**
在電動汽車或混合動力汽車中,SM4832NSKC-TRG-VB 可用於電機驅動控制器、充電管理系統等模組,利用其高效的開關特性,在高電流負載下保持低導通損耗,提高系統的能源利用效率,延長電池使用壽命。
**3. 工業自動化和機器人**
該 MOSFET 也適用於工業自動化設備中的高效電源設計,例如在伺服電機驅動器中,用於控制高電流負載的高效開關。由於其較低的 RDS(ON),能夠有效降低功率損耗和熱量產生,適用於需要高速開關和高負載的工業控制場景。
**4. 充電器和適配器**
SM4832NSKC-TRG-VB 的低導通電阻使其成為可攜式電子設備充電器和適配器中的理想選擇。在這類應用中,低功耗、快速回應和高效能是至關重要的,而該 MOSFET 的性能恰好滿足這些要求。
**5. 汽車電子和智能電器**
SM4832NSKC-TRG-VB 還可應用於智能家電、電動工具和其他汽車電子產品中,作為開關元件用於電動機驅動、LED 驅動電路等模組,保證系統高效穩定運行。
這些應用展示了 SM4832NSKC-TRG-VB 在多個行業中作為高效開關元件的潛力,其低電阻、高電流承載能力和快速開關特性,使其成為現代電子設計中的理想選擇。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性