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SM6126NSKP-VB 產品詳細

產品簡介:

SM6126NSKP-VB 產品簡介

SM6126NSKP-VB 是一款採用 DFN8(5X6) 封裝的單N通道 MOSFET,具有高性能的電氣特性,適用於需要高效能、高電流承載能力的應用場合。其具備 60V 的漏源電壓 (VDS),在 VGS 為 ±20V 範圍內工作,並且在 VGS=4.5V 時具備 5mΩ 的低 RDS(ON),在 VGS=10V 時更低可達 3mΩ,確保低導通損耗。此產品採用了先進的 Trench 技術,能夠提供更高的電流能力和更低的開關損耗,最大持續電流可達 100A。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
DFN8(5X6) Single-N 60V 3V 100A 3mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
DFN8(5X6) Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
DFN8(5X6) Single-N 60V 3V 100A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
DFN8(5X6) Single-N 60V 3V 100A Trench
SM6126NSKP-VB 詳細參數說明

- **型號**: SM6126NSKP-VB
- **封裝類型**: DFN8(5X6)
- **配置**: 單N通道 (Single-N-Channel)
- **漏源電壓 (VDS)**: 60V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **門檻電壓 (Vth)**: 3V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- VGS = 4.5V 時:5mΩ
- VGS = 10V 時:3mΩ
- **最大漏電流 (ID)**: 100A
- **技術**: Trench 技術
- **封裝尺寸**: DFN8(5X6)

領域和模塊應用:

適用領域與模組舉例

SM6126NSKP-VB MOSFET 的高電流承載能力和低 RDS(ON) 特性使其非常適用於多個領域,尤其在以下模組中表現出色:

1. **電源管理模組**:
該 MOSFET 可廣泛應用於 DC-DC 轉換器、POE(以太網供電)模組和其他電源管理系統中。由於其低導通電阻,可以有效降低系統的能量損耗,提高效率,尤其是在高負載情況下,減少熱量產生。

2. **電動汽車(EV)及混合動力汽車(HEV)**:
在電動汽車和混合動力汽車的電池管理系統中,SM6126NSKP-VB MOSFET 可作為電池驅動模組中的功率開關。由於其低 RDS(ON) 和高耐壓特性,適用於大電流充放電的場合。

3. **高效電機驅動系統**:
該 MOSFET 可用作電機驅動系統中的開關元件,尤其是在工業自動化和機器人應用中,因其能夠承載較大的電流而保持低導通損耗,提升系統的可靠性和功率效率。

4. **高效充電器和逆變器**:
在可再生能源系統,如太陽能發電、風能發電及其儲能系統中,SM6126NSKP-VB MOSFET 適用於高效的逆變器電路,能夠提高功率轉換效率,減少系統損耗,確保電源的穩定性和長壽命。

5. **通信基礎設施**:
在基站、電信設備及其他通信基礎設施中,SM6126NSKP-VB MOSFET 可以作為開關元件,提供高效的電源轉換功能,確保設備在大電流負載下仍能穩定運行。

這些應用展示了 SM6126NSKP-VB 在高電流和低功耗系統中的優勢,能夠滿足各種高性能、高效率要求的電力電子領域。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

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