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SP8K5-TB-VB 產品詳細

產品簡介:

SP8K5-TB-VB MOSFET 產品簡介

SP8K5-TB-VB 是一款雙 N 通道 MOSFET,採用 SOP8 封裝,專為低電壓、高效率開關應用設計。該型號具有 30V 的最大漏源電壓(VDS),最大柵源電壓為 ±20V,適用於低功耗、高效能的電源管理系統。SP8K5-TB-VB 的閾值電壓(Vth)為 1.7V,導通電阻(RDS(ON))分別為 26mΩ(VGS = 4.5V)和 22mΩ(VGS = 10V),最大漏電流為 6.8A/6.0A,適合用於電流切換與電源保護電路。採用 Trench 技術,SP8K5-TB-VB 提供了低功耗、高效率和高可靠性的性能,廣泛應用於各種消費電子、便攜設備和電源管理系統。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOP8 Dual-N+N 30V 1.7V 6.8/6.0A 22mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
SOP8 Dual-N+N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
SOP8 Dual-N+N 30V 1.7V 6.8/6.0A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
SOP8 Dual-N+N 30V 1.7V 6.8/6.0A Trench
SP8K5-TB-VB MOSFET 參數說明

- **封裝類型**: SOP8
- **配置**: 雙 N 通道(N+N)
- **最大漏源電壓 (VDS)**: 30V
- **最大柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- @ VGS = 4.5V: 26mΩ
- @ VGS = 10V: 22mΩ
- **最大漏電流 (ID)**: 6.8A / 6.0A(N-channel)
- **技術**: Trench

領域和模塊應用:

SP8K5-TB-VB MOSFET 應用領域

1. **DC-DC 轉換器**:
- SP8K5-TB-VB 可用於各種電壓等級的 DC-DC 轉換器,如升壓、降壓或升降壓轉換器中。其低導通電阻和高電流能力使其非常適用於電壓轉換過程中的開關和電流調節,提供高效的電源轉換。

2. **電池管理系統(BMS)**:
- 在電池管理系統中,SP8K5-TB-VB 可以用於電池充放電過程的控制,作為開關元件以調節電流流向。其高電流處理能力和低功耗特性,適合用於電池管理中的電流監控和保護電路。

3. **消費電子產品**:
- 該 MOSFET 可應用於各種消費電子產品中的電源管理模組,如手機、平板電腦、智能家居設備等。其低導通電阻和高效率特點使其能夠在有限的空間內提供高效電源轉換。

4. **LED 驅動電路**:
- SP8K5-TB-VB 適合用於 LED 驅動電路中,尤其在需要精准電流控制和高效電源管理的場合。其低功耗特性和高開關頻率,使其能夠有效地控制電流流向和電壓調節,延長 LED 的使用壽命並減少熱量產生。

5. **負載開關應用**:
- SP8K5-TB-VB 適用於負載開關電路,特別是在低功耗和小型化的設備中。其較低的導通電阻和高電流能力使其能夠在負載開關操作中提供更好的性能,減少功耗並提高效率。

6. **電源保護電路**:
- 在各種電源保護電路中,SP8K5-TB-VB 可以作為過流、過電壓和短路保護中的關鍵元件。其雙 N 通道結構使其能夠在這些應用中提供高效且可靠的電流開關,確保設備的安全運行。

*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

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