產品參數:
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
| SC70-3 |
Single-N |
20V |
|
0.5~1.5V |
4A |
48mΩ |
|
36mΩ |
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VCE |
VGE |
VGEth(V) |
VCEsat15V |
ICE |
Technology |
| SC70-3 |
Single-N |
|
|
|
|
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds18 |
Technology |
| SC70-3 |
Single-N |
20V |
|
0.5~1.5V |
4A |
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds6 |
Technology |
| SC70-3 |
Single-N |
20V |
|
0.5~1.5V |
4A |
|
Trench |
SPN7400S32RGB-VB MOSFET 詳細參數說明
| 參數 | 描述 |
|-----------------|------------------------------|
| **封裝** | SC70-3 |
| **配置** | 單個 N 通道 MOSFET |
| **漏源電壓 (VDS)** | 20V |
| **柵源電壓 (VGS)** | ±12V |
| **閾值電壓 (Vth)** | 0.5V ~ 1.5V |
| **導通電阻 (RDS(ON))** | 48mΩ (VGS = 2.5V) |
| **導通電阻 (RDS(ON))** | 40mΩ (VGS = 4.5V) |
| **導通電阻 (RDS(ON))** | 36mΩ (VGS = 10V) |
| **最大漏極電流 (ID)** | 4A |
| **技術** | Trench 技術 |
領域和模塊應用:
SPN7400S32RGB-VB MOSFET 的應用領域和模組
1. **可攜式設備**
SPN7400S32RGB-VB MOSFET 非常適用於可攜式設備中的電源管理模組。由於其低導通電阻和較高的開關速度,它可以有效降低功耗並延長電池使用壽命,特別適用於移動設備、手持設備以及無線通信終端的電源控制部分。
2. **低功耗電源模組**
在低功耗電源模組中,SPN7400S32RGB-VB 可作為開關元件用於電源轉換器和穩壓器。它的低導通電阻(尤其在較高的 VGS 下)幫助減少功耗和提高效率,使其在智能家居、物聯網設備等需要長時間穩定工作的電源系統中表現出色。
3. **自動化控制系統**
在自動化控制系統中,SPN7400S32RGB-VB MOSFET 可以用於低功耗開關控制和信號調理。其閾值電壓低、導通電阻小,使其成為小型控制器、感測器模組以及微型機器人等應用中的理想選擇。
4. **汽車電子**
在汽車電子系統中,該 MOSFET 適用於智能電池管理系統(BMS)、電動汽車控制單元、燈光控制以及電源管理模組。它可以在較低的工作電壓下提供高效的開關性能,有助於提升整個系統的能效和回應速度。
5. **通信設備**
在通信設備中,SPN7400S32RGB-VB 可以作為開關元件應用於小型基站、路由器和無線通信設備的功率放大器和信號開關模組。其低 RDS(ON) 值和快速開關特性有助於提升系統的頻率回應和功率效率。
6. **可穿戴設備**
在可穿戴設備中,SPN7400S32RGB-VB MOSFET 可以用於電池充電管理、感測器電源控制等應用。其高效的低電壓工作特性使其成為智能手錶、健身追蹤器和其他可穿戴設備中電源模組的理想選擇。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性