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SS131-VB 產品詳細

產品簡介:

產品簡介
SS131-VB是一款高效的P溝道MOSFET,採用SOP8封裝,專為低電壓和高效率應用設計。該MOSFET具有-20V的漏源電壓(VDS)和±20V的柵源電壓(VGS),適用於低電壓功率開關和控制電路。其柵電壓閾值(Vth)為-0.6V,能夠在較低的柵電壓下開啟,具備快速開關特性。該MOSFET的導通電阻(RDS(ON))在VGS=2.5V時為21mΩ,在VGS=4.5V時為15mΩ,這使其在承受最大漏電流(ID=-13A)時,保持低能量損耗。其Trench技術優化了導通電阻和開關速度,是低功率、高效率應用的理想選擇。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOP8 Single-P -20V -0.6V -13A 21mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
SOP8 Single-P Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
SOP8 Single-P -20V -0.6V -13A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
SOP8 Single-P -20V -0.6V -13A Trench
詳細參數說明
- **封裝**: SOP8
- **配置**: 單極性P溝道
- **VDS (漏源電壓)**: -20V
- **VGS (柵源電壓)**: ±20V
- **Vth (柵電壓閾值)**: -0.6V
- **RDS(ON)**:
- 21mΩ(VGS=2.5V)
- 15mΩ(VGS=4.5V)
- **ID (最大漏電流)**: -13A
- **技術**: Trench技術,優化導通電阻和開關速度
- **工作溫度範圍**: -55°C到+150°C

領域和模塊應用:

適用領域和模組
SS131-VB由於其低VDS、高電流和低RDS(ON)特性,廣泛適用於多個領域的功率開關和控制電路。
- **低壓電源開關**: 該MOSFET非常適合用於**電源管理模組**中,如**低電壓DC-DC轉換器**、**電池管理系統**(BMS)等,能夠在低電壓條件下高效切換和控制電流,確保系統高效運行。
- **電動汽車電源管理**: 在電動汽車中,SS131-VB可以用於**電池電源開關**、**電動機驅動系統**中的高效功率控制。低導通電阻使其能夠在高電流負載下減少能量損耗和發熱。
- **消費電子**: 適用於**智能家居設備**、**移動電源**、**可攜式電池供電設備**等消費類電子產品,SS131-VB能夠提供高效的功率轉換和電源管理,尤其是在空間受限的設計中。
- **功率調節與逆變器應用**: 該MOSFET適用於低電壓應用中的**逆變器**和**功率調節模組**,可以提高系統的效率,並且由於其低RDS(ON),減少了功率轉換過程中的熱損失。
- **工業控制系統**: 在一些工業自動化設備和低電壓驅動系統中,SS131-VB提供了高效、低損耗的功率開關解決方案,廣泛應用於**繼電器驅動**、**電動機控制**等領域。

總之,SS131-VB是一款低電壓、高效率的P溝道MOSFET,適用於多個低功率、高效率電力電子應用,特別是在需要高效、低損耗和空間優化的場合中表現尤為出色。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

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