產品參數:
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
| SC70-3 |
Single-N |
60V |
|
1.7V |
0.3A |
|
|
2000mΩ |
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VCE |
VGE |
VGEth(V) |
VCEsat15V |
ICE |
Technology |
| SC70-3 |
Single-N |
|
|
|
|
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds18 |
Technology |
| SC70-3 |
Single-N |
60V |
|
1.7V |
0.3A |
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds6 |
Technology |
| SC70-3 |
Single-N |
60V |
|
1.7V |
0.3A |
|
Trench |
詳細參數說明:
- **封裝形式**:SC70-3
- **配置**:單N溝道MOSFET
- **漏源電壓(VDS)**:60V
- **柵源電壓(VGS)**:±20V
- **門檻電壓(Vth)**:1.7V
- **導通電阻(RDS(ON))**:
- 4000mΩ @ VGS = 4.5V
- 2000mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流(ID)**:0.3A
- **最大功耗**:適用於低功率應用
- **技術類型**:Trench技術
- **開關性能**:適用於低頻或中等頻率開關應用
- **工作溫度範圍**:-55°C 至 +150°C
- **驅動要求**:適合低柵電壓驅動(1.7V的Vth)
領域和模塊應用:
應用領域和模組舉例:
1. **低功率開關電源**:
- **SSF318W-VB** 適用於低功率開關電源應用。在這些應用中,由於其較低的最大漏極電流(0.3A)和較低的導通電阻,它可以用於驅動低功率電流的電源系統,如小型電池驅動的設備或低功耗充電器。
2. **可攜式設備電源管理**:
- 該MOSFET非常適合用於可攜式電子設備,如智能手機、藍牙耳機、手錶等。這些設備的電源管理系統需要高效且小型化的開關元件,**SSF318W-VB** 由於其SC70-3封裝的緊湊設計,能夠提供足夠的性能,並有效控制電源開關和電流分配。
3. **低功率DC-DC轉換器**:
- **SSF318W-VB** 在DC-DC轉換器中也有廣泛應用,特別是在低功率轉換需求的場合。例如,小型LED驅動器、電池管理系統中的DC-DC降壓或升壓轉換器等。其高效的導通特性可以減少能量損失,提升系統效率。
4. **信號調理和控制電路**:
- 該MOSFET在信號調理和放大電路中也有應用,特別是在需要精確開關信號的場合。例如,它可以用於微控制器控制的開關電路、模擬信號處理或射頻前端模組中,用於信號的開關和調理。
5. **感測器和監測設備**:
- 由於**SSF318W-VB**的低功耗特性,它也適用於感測器模組和低功耗監測設備中。這些設備通常要求組件能在較低的電流負載下穩定工作,以延長電池壽命並減少能量消耗。
6. **LED驅動電路**:
- 在LED燈具的驅動電路中,**SSF318W-VB** 可以作為一個低電流開關元件,適用於小功率LED照明系統。它的低門檻電壓和較低的RDS(ON)使其在這類應用中能夠高效地控制電流,確保LED燈具的穩定運行。
7. **射頻(RF)和低頻開關應用**:
- 對於一些射頻(RF)或者低頻開關應用,**SSF318W-VB** 也是一個理想的選擇。其低柵電壓門檻和高效的開關特性使它非常適合用於小型無線設備、感測器、或通信設備中的RF信號開關。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性