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SSM3J15FU-VB 產品詳細

產品簡介:

SSM3J15FU-VB 產品簡介

SSM3J15FU-VB 是一款採用 SC70-3 封裝的單 P 通道 MOSFET,專為低電壓、高效能電流控制和開關應用設計。該 MOSFET 的漏源電壓(V_DS)為 -20V,柵源電壓(V_GS)為 ±12V,能夠在低功耗系統中高效工作。其導通電阻(R_DS(ON))在 V_GS = 4.5V 時為 80mΩ,在 V_GS = 2.5V 時為 100mΩ,具有極低的功率損耗,適用於各種負載開關和電源管理應用。SSM3J15FU-VB 使用 Trench 技術,能夠提供高效的開關速度和較低的開關損耗,非常適合在空間有限和功率要求較低的應用中使用,如移動設備、LED 驅動、電池供電系統等。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SC70-3 Single-P -20V -0.6V -3.1A 100mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
SC70-3 Single-P Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
SC70-3 Single-P -20V -0.6V -3.1A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
SC70-3 Single-P -20V -0.6V -3.1A Trench
詳細參數說明

- **封裝類型**:SC70-3
- **配置**:單 P 通道
- **漏源電壓 (V_DS)**:-20V
- **柵源電壓 (V_GS)**:±12V
- **閾值電壓 (V_th)**:-0.6V
- **導通電阻 (R_DS(ON))**:
- 100mΩ @V_GS = 2.5V
- 80mΩ @V_GS = 4.5V
- **最大漏極電流 (I_D)**:-3.1A
- **技術**:Trench

領域和模塊應用:

應用領域與模組舉例

1. **可攜式電子設備電源管理**:
SSM3J15FU-VB 的小型 SC70-3 封裝使其非常適合用於可攜式設備中,如智能手機、可穿戴設備和可攜式充電器等。MOSFET 在這些設備中的電源管理電路中發揮關鍵作用,幫助優化電池效率並減少功率損耗,從而延長設備的電池壽命。

2. **負載開關與電流調節**:
由於其低導通電阻和高效開關特性,SSM3J15FU-VB 非常適合用於低電壓負載開關電路。它能夠精確調節電流流向,廣泛應用於 LED 驅動器、低功耗電源模組和其他消費電子產品中。該 MOSFET 可以在降低功率損耗的同時提高系統的工作效率。

3. **電池保護電路**:
在電池管理系統中,SSM3J15FU-VB 可用於電池保護電路,控制電池的充電和放電過程。其低閾值電壓(-0.6V)使得它能夠在較低的柵源電壓下穩定工作,適用於需要保護電池免受過電流、過放電或過充電現象的電池管理應用。

4. **物聯網 (IoT) 設備**:
SSM3J15FU-VB 在物聯網設備中也具有廣泛應用。由於其低功耗和小封裝特點,適合在智能家居、感測器、無線通信設備等物聯網應用中提供穩定的電流控制。該 MOSFET 在這些應用中能夠高效地管理電流,並確保設備在電池供電模式下長期運行。

5. **低功耗無線通信系統**:
在低功耗無線通信模組中,SSM3J15FU-VB 可用於電流調節和負載開關,尤其是在藍牙、Zigbee 等短距離無線通信系統中。這些系統通常要求較低的功率消耗,並且封裝尺寸有限,因此該 MOSFET 在這些應用中非常適用,能夠提高系統的能效並延長電池壽命。

*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

技術支援:

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