產品參數:
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
| SC70-6 |
Dual-N+P |
±20V |
|
1.0/-1.2V |
3.28/-2.8A |
110/190mΩ |
|
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VCE |
VGE |
VGEth(V) |
VCEsat15V |
ICE |
Technology |
| SC70-6 |
Dual-N+P |
|
|
|
|
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds18 |
Technology |
| SC70-6 |
Dual-N+P |
±20V |
|
1.0/-1.2V |
3.28/-2.8A |
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds6 |
Technology |
| SC70-6 |
Dual-N+P |
±20V |
|
1.0/-1.2V |
3.28/-2.8A |
|
Trench |
詳細參數說明
- **封裝類型**:SC70-6
- **配置**:雙 N+P 通道
- **漏源電壓 (V_DS)**:±20V
- **柵源電壓 (V_GS)**:±20V
- **閾值電壓 (V_th)**:
- N 通道:1.0V
- P 通道:-1.2V
- **導通電阻 (R_DS(ON))**:
- N 通道:90mΩ @ V_GS = 4.5V,110mΩ @ V_GS = 2.5V
- P 通道:155mΩ @ V_GS = 4.5V,190mΩ @ V_GS = 2.5V
- **最大漏極電流 (I_D)**:
- N 通道:3.28A
- P 通道:-2.8A
- **技術**:Trench
領域和模塊應用:
應用領域與模組舉例
1. **低功耗電源管理**:
SSM6L05FU-VB 可廣泛應用於低功耗電源管理系統,尤其在移動設備、可攜式電子產品和消費類電子設備中。其雙 N+P 通道配置非常適合在多路電源輸出和電流切換應用中,提供穩定的電源轉換和電流控制。無論是在電池供電的設備中,還是在需要高效率電源管理的嵌入式系統中,該 MOSFET 都能發揮重要作用。
2. **負載開關與電流切換**:
由於其低導通電阻和高效能,SSM6L05FU-VB 是負載開關應用中的理想選擇。它能夠在電流通過時提供非常低的電阻值,從而減少功率損耗,在智能家居、電池管理系統以及通信模組中廣泛應用。在電池供電設備中,它用於管理設備的電源狀態切換,提供開關功能,同時在負載電流高峰期間有效控制電流。
3. **智能家居與感測器應用**:
在智能家居系統中,SSM6L05FU-VB 可用於電源管理和信號切換模組,例如智能插座、燈光控制、感測器驅動等設備。由於其小尺寸、高效性能,該 MOSFET 能夠滿足高密度和緊湊設計的需求。其在智能設備中的應用能夠有效地控制電流和電源分配,實現智能控制和自動化操作。
4. **DC-DC 轉換器與電源適配器**:
在 DC-DC 轉換器中,SSM6L05FU-VB 能夠提供優異的開關性能和低功率損耗。由於其低 R_DS(ON) 特性,這款 MOSFET 可以用於提高轉換效率,特別是在電池驅動和高頻率的電源轉換應用中。它適合用於便攜設備電源適配器、電動工具電源以及其他需要高效電源轉換的應用領域。
5. **音頻設備與信號處理模組**:
在音頻設備、信號處理電路中,SSM6L05FU-VB 也可作為信號開關,保證低雜訊、高精度的電流切換。其低 R_DS(ON) 有助於避免信號失真,提高電路的穩定性,廣泛應用於音頻放大器、信號調製解調電路及感測器介面電路中。
6. **嵌入式系統與感測器應用**:
在一些嵌入式系統和感測器模組中,SSM6L05FU-VB 的雙極結構使其可以有效地控制電源切換和信號傳輸。其緊湊的封裝和高效能使其非常適用於空間有限的環境,如智能硬體、可穿戴設備和物聯網(IoT)終端。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性