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SSP7404NA-VB 產品詳細

產品簡介:

產品簡介
SSP7404NA-VB 是一款高性能單N溝道MOSFET,採用DFN8(5x6)封裝,具有低導通電阻和高電流承載能力。該器件採用了先進的Trench技術,具有極低的RDS(ON),在4.5V和10V柵壓下分別為5mΩ和3mΩ,確保了高效率和低功耗。它的最大漏源電壓為30V,最大柵極源極電壓為±20V,最大漏極電流可達120A,適合用於各種高功率、高效率的電路設計。其DFN8(5x6)封裝非常適合空間受限、需要高散熱性能的應用。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
DFN8(5X6) Single-N 30V 1.7V 120A 3mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
DFN8(5X6) Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
DFN8(5X6) Single-N 30V 1.7V 120A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
DFN8(5X6) Single-N 30V 1.7V 120A Trench
詳細參數說明
| 參數 | 規格 | 描述 |
|-----------------|-------------------------------------|-------------------------------------------|
| **封裝** | DFN8(5x6) | 緊湊型封裝,適合空間受限的應用。 |
| **溝道配置** | 單N溝道 | 單個MOSFET配置,簡化了電路設計。 |
| **VDS** | 30V | 漏源間最大耐壓,適合低壓應用。 |
| **VGS** | ±20V | 柵源間最大耐壓,適合高頻率驅動電路。 |
| **Vth** | 1.7V | 柵極開啟電壓,意味著開啟時所需的最小電壓。 |
| **RDS(ON)** | 5mΩ@VGS=4.5V | 低導通電阻,能有效減少功耗並提高效率。 |
| | 3mΩ@VGS=10V | 在更高驅動電壓下提供更低導通電阻。 |
| **ID** | 120A | 最大連續漏極電流,適用於高功率電流應用。 |
| **技術** | Trench技術 | 採用先進的Trench工藝,具有優異的性能。 |

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領域和模塊應用:

應用領域和模組舉例
1. **DC-DC轉換器**
SSP7404NA-VB 常被應用於高效的DC-DC轉換器中,尤其適合用於低壓、大電流的場景,如電池供電系統中的電源轉換。其低RDS(ON)和高電流能力能夠有效降低功耗並提高轉換效率。

2. **電動工具和電池管理**
在電動工具和電池管理系統中,這款MOSFET能夠提供快速開關特性和高電流承載能力,幫助實現電池充放電控制與功率調節,延長電池壽命並提高設備性能。

3. **電機控制系統**
SSP7404NA-VB 適用於電機控制系統中的驅動模組,如風扇驅動器、泵控制等。其低導通電阻確保了驅動過程中熱量的最小化,同時高電流承載能力使其能夠驅動大功率電機。

4. **負載開關與保護電路**
在負載開關和電源保護電路中,SSP7404NA-VB 能夠實現低功耗和快速回應,適用於過電流保護、電池保護和電源開關應用,提供穩定可靠的開關控制。

該MOSFET的特點使其非常適合高功率、低壓和高效率應用的領域,能夠為各種電子設備提供精確且高效的電流控制和電源管理。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

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