產品參數:
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
| SOP8 |
Dual-N+N |
30V |
|
1.7V |
6.8/6.0A |
|
|
22mΩ |
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VCE |
VGE |
VGEth(V) |
VCEsat15V |
ICE |
Technology |
| SOP8 |
Dual-N+N |
|
|
|
|
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds18 |
Technology |
| SOP8 |
Dual-N+N |
30V |
|
1.7V |
6.8/6.0A |
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds6 |
Technology |
| SOP8 |
Dual-N+N |
30V |
|
1.7V |
6.8/6.0A |
|
Trench |
STM6913-VB MOSFET 詳細參數說明
| **參數** | **值** |
|-------------------|-----------------------|
| **型號** | STM6913-VB |
| **封裝類型** | SOP8 |
| **通道配置** | 雙 N 通道 |
| **V_DS(漏源電壓)** | 30V |
| **V_GS(門源電壓)** | ±20V |
| **V_th(閾值電壓)** | 1.7V |
| **R_DS(on)** | 26mΩ (V_GS = 4.5V) |
| **R_DS(on)** | 22mΩ (V_GS = 10V) |
| **I_D(漏極電流)** | 6.8A / 6.0A |
| **技術類型** | Trench 技術 |
領域和模塊應用:
STM6913-VB MOSFET 應用領域與模組示例
1. **DC-DC 轉換器**:
STM6913-VB 適用於 **DC-DC 轉換器** 中的功率開關電路。由於其低 **R_DS(on)** 和高電流承載能力,它能夠在高效能的電力轉換過程中減少能量損失。在降壓(Buck)或升壓(Boost)轉換器中,STM6913-VB 可以作為主要的開關元件,實現電壓轉換和調節,廣泛應用於便攜設備、工業控制和電源管理系統。
2. **電動工具與消費電子**:
在電動工具、便攜設備以及消費電子產品中,STM6913-VB 常用於電源管理模組,用於驅動電動機、控制電池充放電過程和管理電壓穩定性。由於其優越的導通性能和較低的開關損耗,這款 MOSFET 特別適合需要高效能和低功耗的電池驅動設備,如智能手機、筆記本電腦、電動玩具等。
3. **汽車電源管理與驅動系統**:
STM6913-VB 適用於 **汽車電子系統** 中,特別是在電池管理系統(BMS)和功率轉換模組中。由於其雙 N 通道配置,它可以用來控制車載電源系統中的電壓和電流,管理動力電池的充放電過程,確保汽車電子系統的穩定和高效運行。該器件在電動汽車(EV)和混合動力汽車(HEV)中的應用尤為突出,能夠承受較大的電流負載,並保證能量的高效轉換。
4. **智能家居與物聯網設備**:
在 **智能家居系統** 和 **物聯網(IoT)設備** 中,STM6913-VB 被廣泛應用於電源管理和負載驅動模組,如智能插座、電動窗簾、自動化設備和感測器。其高效率和低功耗特點使其在智能設備中能夠長時間穩定運行,減少電池的消耗,並確保設備的長期可靠性和高效性。
5. **過流保護和負載保護模組**:
由於其雙 N 通道配置,STM6913-VB 也可用於 **過流保護電路** 和 **負載保護模組**。通過精確的電流控制和快速開關回應,它可以在電路出現異常情況時快速斷開電流路徑,防止設備損壞。適用於高功率設備的保護系統,如電動機驅動、電力變換器和高功率負載的電源保護。
通過這些示例,STM6913-VB MOSFET 顯示出其在高效電源管理、負載驅動、功率轉換和保護系統中的廣泛應用,尤其適合需要高效率、低功耗和高電流承載能力的電子設備。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性