產品參數:
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
| SOP8 |
Dual-N+P |
±30V |
|
1.6/-1.7V |
±8A |
|
|
18/40mΩ |
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VCE |
VGE |
VGEth(V) |
VCEsat15V |
ICE |
Technology |
| SOP8 |
Dual-N+P |
|
|
|
|
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds18 |
Technology |
| SOP8 |
Dual-N+P |
±30V |
|
1.6/-1.7V |
±8A |
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds6 |
Technology |
| SOP8 |
Dual-N+P |
±30V |
|
1.6/-1.7V |
±8A |
|
Trench |
詳細參數說明
- **型號**:STM8303-VB
- **封裝**:SOP8
- **配置**:Dual-N+P-Channel(雙N通道+P通道)
- **V_DS**:±30V(最大漏極源極電壓)
- **V_GS**:±20V(最大柵源電壓)
- **V_th**:1.6V(N-Channel),-1.7V(P-Channel)(門極閾值電壓)
- **R_DS(ON)**:
- 24mΩ @V_GS=4.5V(N-Channel)
- 50mΩ @V_GS=4.5V(P-Channel)
- 18mΩ @V_GS=10V(N-Channel)
- 40mΩ @V_GS=10V(P-Channel)
- **I_D**:±8A(最大漏極電流)
- **技術**:Trench(溝槽技術)
領域和模塊應用:
典型應用領域和模組示例
1. **電源管理系統**
STM8303-VB 可廣泛應用於電源管理系統,特別是在需要雙向電流控制的場景中。其N通道和P通道設計使其能夠高效地在不同電壓源之間進行切換。該MOSFET在電源轉換過程中提供低導通電阻,降低功率損耗,提高系統效率,特別適用於DC-DC轉換器、升降壓轉換器等。
2. **負載開關**
在負載開關應用中,STM8303-VB 的N通道和P通道MOSFET可以分別用於正向和反向電流控制。其雙通道設計使得在多個電源系統之間切換時能夠保持高效能和低熱量生成,適用於需要快速切換的負載管理和電源保護系統。
3. **H橋電路**
STM8303-VB 也非常適合用於H橋電路,特別是在電動機驅動和逆變器應用中。由於其具有N通道和P通道的雙通道設計,可以在H橋電路中實現高效的電流切換,並保證電流的穩定流動,有助於提高電動機的控制精度和效率。
4. **電池管理系統(BMS)**
在電池管理系統中,STM8303-VB 可用於電池的充放電控制。其高效的導通電阻和大電流承載能力(±8A)使得其能夠快速切換,並提供精確的電流控制。在充電管理過程中,它能夠有效控制電池的充電電流,防止過充或過放,保護電池的健康。
5. **音頻和功率放大器**
在音頻和功率放大器應用中,STM8303-VB 可以作為功率開關,控制信號放大的過程。其低導通電阻和高電流能力使其能夠有效放大音頻信號,同時減少失真和功率損耗,提高音頻設備的性能。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性