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STP10NK50Z-VB 產品詳細

產品簡介:

產品簡介:STP10NK50Z-VB MOSFET

STP10NK50Z-VB 是一款 N 通道功率 MOSFET,採用 TO220 封裝,專為高壓應用設計。其最大漏源電壓(VDS)為 650V,適用於需要高耐壓和較大電流驅動的場合。該 MOSFET 的最大柵源電壓(VGS)為 ±30V,具有閾值電壓(Vth)為 3.5V,導通電阻(RDS(ON))為 500mΩ @VGS=10V,最大漏極電流(ID)為 9A。使用了 SJ_Multi-EPI 技術,這使得 STP10NK50Z-VB 在高溫環境下表現出優秀的耐用性和高效能。該器件廣泛應用於電源管理、開關電源、馬達驅動以及汽車電子等領域。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 650V 3.5V 9A 500mΩ SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 650V 3.5V 9A SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 650V 3.5V 9A SJ_Multi-EPI
詳細參數說明:

- **封裝**:TO220
- **配置**:單 N 通道
- **漏源電壓(VDS)**:650V
- **柵源電壓(VGS)**:±30V
- **閾值電壓(Vth)**:3.5V
- **導通電阻(RDS(ON))**:500mΩ @VGS=10V
- **最大漏極電流(ID)**:9A
- **最大功耗(Pd)**:150W(取決於散熱情況)
- **工作溫度範圍(Tj)**:-55°C 至 150°C
- **技術**:SJ_Multi-EPI(多晶矽技術)
- **最大結溫**:150°C

領域和模塊應用:

應用領域與模組示例:

1. **開關電源和電力轉換器**:
STP10NK50Z-VB 的高電壓承受能力和低導通電阻使其非常適合用於高效能開關電源(SMPS)中,尤其是在AC-DC 和 DC-DC 轉換器中。它能夠在高負載條件下提供穩定的電力供應,適用於工業設備、消費類電子產品以及電腦電源系統。

2. **馬達驅動系統**:
由於其能夠承受較高電壓和提供較大的電流,STP10NK50Z-VB 是驅動電動馬達(如步進電機、直流電機和無刷電機)的理想選擇。它可用於各種電動工具、電動汽車(EV)和自動化控制系統中,確保馬達的平穩運行並減少能量損耗。

3. **汽車電子**:
在汽車領域,STP10NK50Z-VB 被廣泛應用於汽車電池管理系統(BMS)、電動汽車充電器以及電源分配模組。其高耐壓性能使其能夠應對汽車電氣系統中常見的瞬態高壓情況,確保系統的穩定性和安全性。

4. **功率放大器和音頻設備**:
該 MOSFET 還可用於高功率音頻放大器中,提供穩定的輸出電流,適用於要求高電流、高電壓的音頻功率放大應用。通過提供低導通電阻,STP10NK50Z-VB 有助於提高功率放大的效率,減少功耗並提高整體音質。

5. **高壓電源和 UPS(不間斷電源)系統**:
由於其高耐壓特性,STP10NK50Z-VB 在不間斷電源(UPS)系統中具有廣泛應用,特別是需要在高電壓下進行電源切換的場合。它能夠在電力中斷時提供可靠的備用電源,確保關鍵設備和系統持續運行。

通過這些應用,STP10NK50Z-VB MOSFET 提供了高效、可靠的電能管理和驅動能力,滿足了現代電力電子產品對高電壓、低功耗和高效率的要求。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

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