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STP21NM60ND-VB 產品詳細

產品簡介:

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STP21NM60ND-VB 是一款高性能 N 通道 MOSFET,採用 TO220 封裝,基於 SJ_Multi-EPI 技術設計,具有 650V 的耐壓(VDS)和 20A 的最大漏電流(ID)。該 MOSFET 的導通電阻低至 160mΩ @ VGS = 10V,能夠有效降低開關損耗和熱損失,保證電力系統的高效能運行。STP21NM60ND-VB 特別適用於需要高耐壓、大電流處理能力且對功率損耗有嚴格要求的應用,如開關電源、逆變器、DC-DC 轉換器等。由於其卓越的性能,它廣泛應用於電力電子設備、能源管理、工業自動化以及電動交通工具等領域。

**STP21NM60ND-VB MOSFET

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 650V 3.5V 20A 160mΩ SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 650V 3.5V 20A SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 650V 3.5V 20A SJ_Multi-EPI
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- **封裝類型**:TO220
- **配置**:單極 N 通道(Single-N-Channel)
- **漏源電壓(VDS)**:650V
- **門源電壓(VGS)**:±30V
- **閾值電壓(Vth)**:3.5V
- **導通電阻(RDS(ON))**:160mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏電流(ID)**:20A
- **技術**:SJ_Multi-EPI 技術
- **開關特性**:STP21NM60ND-VB 的低導通電阻(RDS(ON))特性確保其在高電流下高效工作,減少系統中的熱損失,提高系統的整體效率。
- **功率損耗**:由於其低 RDS(ON),該 MOSFET 在工作時產生的功率損耗較小,有利於提高系統的整體性能和減少散熱需求,特別適合高效能的電力電子系統。

**STP21NM60ND-VB MOSFET

領域和模塊應用:

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1. **開關電源(SMPS)**
STP21NM60ND-VB 適用於開關電源(SMPS)設計中的各類電源模組,特別是在高效 AC-DC 或 DC-DC 轉換器中。其650V的耐壓和20A的電流處理能力使其適合於大功率電源應用。低 RDS(ON) 值和高效開關特性減少了功率損失和發熱,有助於提升電源的效率和可靠性,廣泛應用於工業電源、電腦電源和通信電源等領域。

2. **逆變器(Inverters)**
由於其高耐壓(650V)和大電流(20A)特性,STP21NM60ND-VB 在逆變器系統中應用非常廣泛。它特別適用於太陽能逆變器、電動汽車逆變器以及其他要求高效率、高電流的逆變器模組。STP21NM60ND-VB 能有效轉換直流電壓到交流電壓,同時保證系統的穩定性和高效能運行,是電力轉換系統中的關鍵元件。

3. **DC-DC 轉換器**
在高效能電源管理系統中,STP21NM60ND-VB 可廣泛用於 DC-DC 轉換器模組,提供穩定的電壓調節和高效的能量轉換。該 MOSFET 可在低開關損耗的情況下處理較高的電流,使得電源系統的效率得到大幅度提升。適用於各種電池供電設備、移動設備充電器、工業電源模組等。

4. **電動交通工具(EV/HEV)**
由於其大電流和高耐壓特性,STP21NM60ND-VB 適用於電動交通工具(EV/HEV)中的電池管理系統(BMS)和電動驅動系統。在電動汽車或混合動力車的電池充電與放電過程中,STP21NM60ND-VB 能保證高效電能轉化,確保驅動電機的穩定運行,減少能量損失並延長電池壽命。

5. **電力管理系統(Power Management)**
STP21NM60ND-VB 在高效電力管理系統中有著廣泛應用,尤其是在 UPS(不間斷電源)系統、電池充電器、能量存儲和轉換系統中。由於其低導通電阻和出色的開關特性,它能夠有效提升電力管理系統的效率,降低熱損耗,確保穩定運行和較長使用壽命。

**總結**

STP21NM60ND-VB 是一款採用 SJ_Multi-EPI 技術的高性能 N 通道 MOSFET,具有 650V 的耐壓、160mΩ 的導通電阻和 20A 的最大漏電流,適用於高效電力轉換系統。其低導通電阻和高效開關特性使其在開關電源、逆變器、DC-DC 轉換器、電動交通工具和電力管理系統中表現出色。它廣泛應用於能源、工業、電動交通工具等領域,是現代高效電力電子系統中的重要組件。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

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