產品參數:
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
| SOP8 |
Dual-N+P |
±30V |
|
1.6/-1.7V |
±8A |
|
|
18/40mΩ |
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VCE |
VGE |
VGEth(V) |
VCEsat15V |
ICE |
Technology |
| SOP8 |
Dual-N+P |
|
|
|
|
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds18 |
Technology |
| SOP8 |
Dual-N+P |
±30V |
|
1.6/-1.7V |
±8A |
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds6 |
Technology |
| SOP8 |
Dual-N+P |
±30V |
|
1.6/-1.7V |
±8A |
|
Trench |
**詳細參數說明:**
- **型號**:STS7C4F30L-VB
- **封裝類型**:SOP8
- **配置**:雙通道(N+P-Channel)
- **最大漏源電壓 (VDS)**:±30V
- **最大柵源電壓 (VGS)**:±20V
- **柵源閾值電壓 (Vth)**:
- N-Channel:1.6V
- P-Channel:-1.7V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- N-Channel @ VGS=4.5V:24mΩ
- P-Channel @ VGS=4.5V:50mΩ
- N-Channel @ VGS=10V:18mΩ
- P-Channel @ VGS=10V:40mΩ
- **最大漏電流 (ID)**:
- N-Channel:±8A
- P-Channel:±8A
- **技術類型**:Trench(深溝槽技術)
- **工作溫度範圍**:-55°C 到 +150°C
- **應用類型**:低功耗電源管理、電機驅動、負載開關、雙極性電源轉換、DC-DC 轉換器等
領域和模塊應用:
**應用領域與模組舉例:**
1. **低功耗電源管理**:
STS7C4F30L-VB 在低功耗電源管理應用中表現出色。由於其低導通電阻,特別適用於在低電壓(例如 5V 或 12V 電源)下的高效能轉換。雙 N+P 通道設計允許其在雙極性電源下同時控制正負電壓的開關,實現更加精確和高效的電源管理。可應用於各種可攜式設備、通信設備以及小型家電的電源模組中。
2. **電機驅動系統**:
該 MOSFET 的雙 N+P 通道配置使其非常適用於電機驅動系統,尤其是在需要正負電源供電的場合。STS7C4F30L-VB 可用於直流電機(DC Motor)或步進電機的驅動電路中,通過精確控制電流的流向和大小,提供高效的電機控制。其低導通電阻(例如,N-Channel:18mΩ@VGS=10V)確保電流控制過程中的能量損耗最小化,提升系統效率。
3. **負載開關控制**:
該 MOSFET 適用於各種負載開關控制應用,如開關電源、繼電器驅動、負載隔離等。其能夠有效控制中等功率的負載(最大漏電流 ±8A),非常適合在汽車電子、消費類電子產品和電池管理系統(BMS)中應用。其低導通電阻也確保了在負載開啟和關閉過程中能量損失較小。
4. **雙極性電源轉換**:
在雙極性電源轉換應用中,STS7C4F30L-VB 的雙通道設計提供了很大的靈活性。例如,電源轉換器中既需要正電壓的控制,也需要負電壓的開關控制。通過在同一器件中集成 N 型和 P 型 MOSFET,STS7C4F30L-VB 能夠優化系統設計,降低部件數量和成本,提升系統的整體可靠性和效率。
5. **DC-DC 轉換器**:
作為開關元件,STS7C4F30L-VB 可應用於各種 DC-DC 轉換器中,尤其適合需要雙極性電源輸入或輸出的轉換器。它可用於降壓、升壓、隔離型 DC-DC 轉換器等應用。由於其低導通電阻和較大的電流承載能力,它能夠高效地轉換功率並降低熱損失,確保系統長期穩定運行。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性