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T1100L-VB 產品詳細

產品簡介:

1. **T1100L-VB 產品簡介**

T1100L-VB 是一款 **100V N-Channel MOSFET**,採用 **TO220 封裝**,利用先進的 **Trench 技術**製造。該 MOSFET 在 **VGS = 10V** 時具有非常低的 **導通電阻 (RDS(ON))**,為 **9mΩ**,並且能夠承載高達 **100A 的最大漏電流 (ID)**,這使得它在高功率應用中表現出色。T1100L-VB 的 **100V 漏源電壓** 和 **低導通電阻** 特性,使其在高效的電流控制和電力轉換系統中具有廣泛的應用,特別是在要求高效率和高可靠性的領域。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 100V 2.5V 100A 9mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 100V 2.5V 100A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 100V 2.5V 100A Trench
2. **T1100L-VB 詳細參數說明**

- **封裝類型**:TO220
- **配置**:單 N 通道(Single-N-Channel)
- **漏源電壓 (VDS)**:100V
- **門源電壓 (VGS)**:±20V
- **閾值電壓 (Vth)**:2.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- **20mΩ @ VGS = 4.5V**
- **9mΩ @ VGS = 10V**
- **最大漏電流 (ID)**:100A
- **最大功率耗散**:最大約 **250W**(依據工作條件與散熱設計)
- **工作溫度範圍**:-55°C 至 +150°C
- **開關速度**:適用於高頻開關應用,具有快速開關回應
- **技術類型**:Trench
- **最大結溫**:150°C
- **反向恢復特性**:低反向恢復時間,適合快速開關操作

領域和模塊應用:

3. **T1100L-VB 的應用領域和模組舉例**

# **高效開關電源 (SMPS)**
由於 T1100L-VB 具有 **低 RDS(ON)** 和 **高電流承載能力**,它非常適用於 **高效開關電源**(SMPS)應用。它可以顯著降低能量損失,提高轉換效率,尤其是在高電流應用中。

**應用實例**:在 **工業電源系統、電腦電源、LED 驅動電源** 中,T1100L-VB 可用作開關元件,處理大功率和高頻的電源轉換,提高整體系統的效率。

# **功率放大器**
T1100L-VB 還可以用於 **功率放大器**(例如音響放大器和射頻功率放大器)中,特別是在要求高功率、高效率的應用場合。由於其低導通電阻和高電流處理能力,能夠滿足這些高要求應用的電流需求。

**應用實例**:在 **無線通信設備、廣播發射器和高頻應用** 中,T1100L-VB 可用於功率放大器的開關元件,提供高效、穩定的信號放大。

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總結

T1100L-VB 是一款 **100V N-Channel MOSFET**,具有 **低導通電阻(9mΩ @ VGS = 10V)** 和 **100A 最大電流承載能力**,非常適合於 **高效開關電源、直流電機驅動、電池管理系統、功率放大器** 和 **汽車電子系統** 等多個領域。其 **低能耗、高效率** 的特性使其在需要高電流和高效率的應用中表現出色,是提升能效和穩定性的理想選擇。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

技術支援:

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