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T9600-VB 產品詳細

產品簡介:

T9600-VB MOSFET 產品簡介

T9600-VB 是一款採用 TO220 封裝的單 N 型 MOSFET,專為高電壓、高功率應用設計。它具有最大漏源電壓 (Vds) 為 650V,柵極源電壓 (Vgs) 為 ±30V,適用於高壓功率轉換和電源管理應用。該 MOSFET 的閾值電壓 (Vth) 為 3.5V,提供穩定的開關性能。在 Vgs=10V 時,T9600-VB 的導通電阻 (Rds(on)) 為 3120mΩ,能夠在一定的負載電流下保持較低的功耗。其最大漏電流 (Id) 為 2A,適合中等功率應用場合。該 MOSFET 使用了傳統的 Plannar 技術,具有良好的穩定性和可靠性,適用於一些需要高耐壓和中等電流的場合。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 650V 3.5V 2A 3120mΩ Plannar
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Plannar
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 650V 3.5V 2A Plannar
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 650V 3.5V 2A Plannar
T9600-VB MOSFET 詳細參數說明

| 參數 | 描述 |
|---------------------|----------------------------------|
| **封裝類型** | TO220 |
| **配置** | 單N型(Single-N-Channel) |
| **最大漏源電壓 (Vds)**| 650V |
| **柵極源電壓 (Vgs)** | ±30V |
| **閾值電壓 (Vth)** | 3.5V |
| **導通電阻 (Rds(on))**| 3900mΩ @ Vgs=4.5V |
| **導通電阻 (Rds(on))**| 3120mΩ @ Vgs=10V |
| **最大漏電流 (Id)** | 2A |
| **技術** | Plannar技術 |

領域和模塊應用:

T9600-VB MOSFET 應用領域及模組示例

T9600-VB MOSFET 適用於多個領域和模組,尤其是高電壓和中功率應用。以下是幾個典型的應用場景:

1. **電源轉換與電源管理**:
T9600-VB 的 650V 漏源電壓使其非常適合用於高電壓電源的轉換和管理,如 AC-DC 電源適配器、DC-DC 轉換器和高壓電源模組。在這些應用中,T9600-VB 可作為開關元件,控制電流流動,保證高效能和穩定的電源輸出。

2. **工業電力驅動系統**:
在一些工業電力驅動系統中,T9600-VB 可用於中功率電機驅動控制電路,如伺服電機控制器和風扇電機驅動。這類應用通常需要能夠承受高電壓且具有適度電流承載能力的 MOSFET,T9600-VB 在這些場合能夠提供穩定的功率開關。

3. **開關電源 (SMPS)**:
T9600-VB 適用於開關電源 (SMPS),尤其是在高壓輸入的應用中。由於其高耐壓 (650V),它能夠滿足大部分 SMPS 模組的要求,尤其是用於電池充電器、高效能電源等場合。

4. **家電設備中的高壓電源管理**:
在家用電器,如空調、冰箱和微波爐的電源管理系統中,T9600-VB 可用於高壓電流的開關控制。其低導通電阻特性有助於降低能量損耗,並提高系統效率。

5. **汽車電子**:
T9600-VB 適用於汽車電源管理系統,特別是在高壓系統如電動助力轉向 (EPS) 或電動汽車 (EV) 的高壓電池管理系統中。其高漏源電壓和良好的耐用性使其成為這些高壓應用的理想選擇。

6. **高壓照明電源**:
對於需要高壓驅動的照明系統,如高壓螢光燈驅動或LED驅動電源,T9600-VB 提供了一個高耐壓且可靠的開關元件,能夠承受高電壓的工作環境。

*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

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