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T9610-VB 產品詳細

產品簡介:

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T9610-VB是一款高壓單極N通道MOSFET,採用TO220封裝,設計用於中到高電壓的電源管理和開關應用。該MOSFET的漏源電壓(VDS)為650V,適合用於高電壓電力轉換和高電流應用。T9610-VB的門極閾值電壓(Vth)為3.5V,在VGS=10V時,其導通電阻(RDS(ON))為500mΩ,適合需要穩定導通特性的應用。儘管RDS(ON)相對較高,但其最大漏電流(ID)為9A,使其適用於低電流要求的高電壓環境。採用SJ_Multi-EPI技術,T9610-VB具有較好的熱穩定性和較低的開關損耗,適合在高頻、大電壓的開關環境中使用。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 650V 3.5V 9A 500mΩ SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 650V 3.5V 9A SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 650V 3.5V 9A SJ_Multi-EPI
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- **封裝**:TO220
- **配置**:單極N通道
- **VDS(漏源電壓)**:650V
- **VGS(門源電壓)**:±30V
- **Vth(門極閾值電壓)**:3.5V
- **RDS(ON)**:500mΩ@VGS=10V
- **ID(最大漏電流)**:9A
- **技術**:SJ_Multi-EPI技術

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領域和模塊應用:

舉例**

T9610-VB的650V漏源電壓使其非常適合用於高電壓電源管理系統、AC-DC電源轉換器、逆變器等應用。在高電壓環境下,如太陽能逆變器、UPS系統以及電力分配和調節系統中,它能夠提供穩定的電力轉換,確保高效能和高可靠性。

此外,T9610-VB在工業自動化、電動工具、電力電子和大功率電機驅動系統中也有廣泛應用。其最大漏電流為9A,適用於電動工具、電池充電器和高功率控制模組中的電流開關工作。特別是在AC-DC電源模組、電動機控制器以及電力轉換系統中,它能夠通過降低開關損耗並提高熱管理性能,提升整體系統效率。

儘管T9610-VB的RDS(ON)相對較高,但它在不需要過高電流負載的高壓應用中仍然能夠提供足夠的性能,如家庭電力管理、通信設備電源模組等。通過採用SJ_Multi-EPI技術,T9610-VB在高壓開關電源、變頻器等高頻工作環境下表現良好。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

技術支援:

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