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TK42E12N1-VB 產品詳細

產品簡介:

產品簡介:TK42E12N1-VB

TK42E12N1-VB 是一款高性能 N 通道 MOSFET,採用 TO220 封裝,具有 100V 的漏源耐壓 (V_DS) 和最大漏極電流 100A。該 MOSFET 的柵極-源極電壓範圍為 ±20V,閾值電壓 (V_th) 為 2.5V,具有非常低的導通電阻:在 V_GS=4.5V 時為 20mΩ,在 V_GS=10V 時為 9mΩ。採用先進的 Trench 技術,TK42E12N1-VB 提供卓越的開關性能、低功耗和高效率,廣泛應用於需要高電流處理的電源管理和電力電子領域。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 100V 2.5V 100A 9mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 100V 2.5V 100A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 100V 2.5V 100A Trench
詳細參數說明:

| 參數 | 數值 |
|---------------------|-------------------------------|
| **型號** | TK42E12N1-VB |
| **封裝** | TO220 |
| **配置** | 單一 N 通道 MOSFET |
| **漏極-源極耐壓 (V_DS)** | 100V |
| **柵極-源極電壓 (V_GS)** | ±20V |
| **閾值電壓 (V_th)** | 2.5V |
| **導通電阻 (R_DS(ON))** | 20mΩ @ V_GS=4.5V |
| **導通電阻 (R_DS(ON))** | 9mΩ @ V_GS=10V |
| **最大漏極電流 (I_D)** | 100A |
| **技術** | Trench |

領域和模塊應用:

應用領域與模組:

1. **高效電源管理**:TK42E12N1-VB 具有極低的導通電阻和高電流處理能力,適用於高效能電源管理系統,特別是在 DC-DC 轉換器、AC-DC 電源適配器、LED 驅動電源等應用中。低 R_DS(ON) 和高電流承載能力使得其在高效電源設計中具有出色的性能,能夠顯著減少功率損耗並提高電源轉換效率。

2. **電動汽車和電池管理系統(BMS)**:TK42E12N1-VB 的 100A 最大漏極電流和低導通電阻使其成為電動汽車(EV)和混合動力汽車(HEV)中的理想選擇。在電池管理系統(BMS)中,能夠提供穩定、可靠的電流控制,特別是在充電和放電過程中,幫助優化電池的使用壽命和安全性。

3. **電機驅動與控制系統**:在高功率電機驅動應用中,TK42E12N1-VB 可用於無刷直流電機(BLDC)驅動系統和電機控制模組,特別適用於需要高電流和高功率效率的工業電機驅動、機器人和自動化設備中。它能夠快速回應電機轉速的變化,並有效減少系統的熱損失。

4. **工業電源和電力電子**:TK42E12N1-VB 廣泛應用於工業電力轉換模組,如逆變器、電力控制系統等。它適用於太陽能逆變器、風力發電系統、工控設備等電力電子產品。其優異的開關性能和高電流承載能力,幫助在電力轉換和控制過程中提供高效能和穩定性。

5. **消費電子與小型電源設備**:在消費電子和小型電源系統中,TK42E12N1-VB 適用於電池供電設備、筆記本電腦電源適配器、可攜式充電器等。這款 MOSFET 的低導通電阻使其非常適合高效能、低熱量的設計,能夠延長電池續航並優化產品的能效。

*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

技術支援:

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