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TM6912S-VB 產品詳細

產品簡介:

產品簡介:TM6912S-VB MOSFET

TM6912S-VB 是一款雙極 N+N 通道 MOSFET,採用 SOP8 封裝,專為低電壓、高效率的應用設計。它具有雙通道設計,最大漏源電壓(VDS)為 30V,柵源電壓(VGS)可承受最大 ±20V,適用於雙通道開關應用。該 MOSFET 的門極閾值電壓(Vth)為 1.7V,導通電阻(RDS(ON))在不同柵源電壓下分別為 26mΩ(VGS = 4.5V)和 22mΩ(VGS = 10V)。其最大漏極電流(ID)分別為 6.8A(通道 1)和 6.0A(通道 2),能夠滿足中等功率應用需求,適用於多種開關電源、電池管理系統及低功耗控制模組。該器件採用 Trench 技術,具有低導通電阻、快速開關特性和低功耗特性,廣泛應用於各類開關電源、功率調節、電池管理等領域。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOP8 Dual-N+N 30V 1.7V 6.8/6.0A 22mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
SOP8 Dual-N+N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
SOP8 Dual-N+N 30V 1.7V 6.8/6.0A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
SOP8 Dual-N+N 30V 1.7V 6.8/6.0A Trench
詳細參數說明:

- **封裝類型**: SOP8
- **配置**: 雙極 N+N 通道 (Dual-N+N-Channel)
- **最大漏源電壓(VDS)**: 30V
- **最大柵源電壓(VGS)**: ±20V
- **門極閾值電壓(Vth)**: 1.7V
- **導通電阻(RDS(ON))**:
- 26mΩ(VGS = 4.5V)
- 22mΩ(VGS = 10V)
- **最大漏極電流(ID)**:
- 通道 1: 6.8A
- 通道 2: 6.0A
- **技術工藝**: Trench

領域和模塊應用:

應用領域和模組舉例:

1. **雙通道電源管理系統**:
TM6912S-VB 的雙極 N+N 通道結構使其非常適合用作雙通道電源管理模組。在中等功率電源設計中,特別是雙通道電壓轉換或電流分配系統中,可以提供更高效的能量傳輸和更低的功率損耗。它可以用於直流-直流轉換器(DC-DC 轉換器),電源供應系統中的負載開關等應用。

2. **電池管理系統(BMS)**:
在電池管理系統中,TM6912S-VB 能夠為電池充電和放電過程提供精准的電流控制,保障電池的安全和壽命。由於其低導通電阻和較高的最大漏極電流,它能夠有效管理電池的充放電過程,減少功率損失,尤其適合用於智能手機、平板電腦、可攜式設備等小型設備中的電池管理模組。

3. **功率調節模組**:
在功率調節模組中,TM6912S-VB 通過低導通電阻和高電流處理能力,能夠有效地調節電壓和電流。它適用於功率因數校正(PFC)電路、交流-直流(AC-DC)轉換器等中等功率調節系統,提供高效的電能轉換,優化電源系統的性能。

4. **低功耗控制應用**:
由於其低導通電阻和快速開關特性,TM6912S-VB 適合用於低功耗控制應用,尤其是在低電壓驅動系統中。它可用於開關電源、LED 驅動、電池管理等系統的控制開關,幫助降低電路功耗並提高系統整體效率。

5. **雙通道負載開關**:
作為雙極 N+N 通道 MOSFET,TM6912S-VB 特別適合用於雙通道負載開關應用。它能夠同時控制兩個負載或電源通道,在多路供電系統中實現負載切換,減少系統設計的複雜性,並提高電路的開關效率。

6. **LED 驅動與電源模組**:
TM6912S-VB 可在 LED 驅動電路中提供高效的電流控制,尤其適合在低電壓 LED 驅動系統中,降低系統功耗並提高系統可靠性。此外,作為高效率的電源模組,它適用於家庭照明、工業燈具、汽車照明等應用中的高效電源轉換。

*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

技術支援:

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