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TPC6113-VB 產品詳細

產品簡介:

TPC6113-VB MOSFET 產品簡介

TPC6113-VB 是一款單 P 通道 MOSFET,採用 SC75-6 封裝,具有高效能的開關特性和低導通電阻(RDS(ON))。它的最大漏源電壓為 -30V,柵源電壓可在 ±20V 範圍內操作,適用於多種低壓控制和開關應用。該 MOSFET 的導通電阻在 VGS = 4.5V 時為 42mΩ,在 VGS = 10V 時為 32mΩ,表明其具有較低的功率損耗和高效能的開關性能。最大漏極電流為 -2.4A,使其能夠承受中等負載電流,並在多種可攜式和低功耗應用中廣泛應用。

TPC6113-VB 利用 Trench 技術,提供低閾值電壓(Vth = -1.7V),確保其在低電壓控制下能夠穩定工作,尤其適用於電池供電系統、負載開關和反向電流保護等場景。其封裝小巧,適合空間受限的應用,是移動設備和其他可攜式電子產品中的理想選擇。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SC75-6 Single-P -30V -1.7V -2.4A 32mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
SC75-6 Single-P Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
SC75-6 Single-P -30V -1.7V -2.4A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
SC75-6 Single-P -30V -1.7V -2.4A Trench
TPC6113-VB MOSFET 詳細參數說明

- **型號**:TPC6113-VB
- **封裝**:SC75-6
- **配置**:單 P 通道(Single-P-Channel)
- **最大漏源電壓(VDS)**:-30V
- **最大柵源電壓(VGS)**:±20V
- **閾值電壓(Vth)**:-1.7V
- **導通電阻(RDS(ON))**:
- 42mΩ @ VGS = 4.5V
- 32mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流(ID)**:-2.4A
- **工作溫度範圍**:-55°C 至 150°C
- **技術類型**:Trench 技術

領域和模塊應用:

TPC6113-VB MOSFET 應用領域與模組

1. **可攜式電子設備**
- TPC6113-VB 適用於各種可攜式設備,如智能手機、平板電腦、可穿戴設備等。由於其小型 SC75-6 封裝和低導通電阻,這款 MOSFET 可以在高效能和低功耗要求下進行電源管理和開關控制,延長電池使用壽命並減少功率損耗。

2. **電池管理系統**
- 在電池管理系統中,TPC6113-VB 可作為電池充電和反向電流保護元件使用。其較低的閾值電壓和低導通電阻使得它能夠在低電壓下可靠工作,確保電池的安全和高效使用。特別是在移動設備和電動工具中,能夠有效防止電池電流反向流動,保護電池及電路。

3. **負載開關**
- 在需要精確控制負載的應用中,TPC6113-VB 作為負載開關能夠提供快速切換和高效電流傳導,廣泛應用於LED電源、電子負載開關等場合。它能夠在有限的空間內進行高效的電源開關,適用於低壓電路和電池驅動的設備。

4. **反向電流保護**
- TPC6113-VB 可以有效地用於反向電流保護應用,防止電流在電池或電源電路中反向流動。特別適用於電池充電器、太陽能電池管理系統和其他需要保護電池和電源系統的場合,防止由於電流反向而導致的損壞。

5. **低電壓電源管理**
- 該 MOSFET 在低電壓應用中表現優異,適用於電池供電的可攜式電源模組。其較低的閾值電壓和導通電阻使得其在電源轉換和電壓調節中具有高效的能量轉換率,適合用於各種低壓電源管理模組,如DC-DC轉換器、穩定電壓電路等。

6. **智能家居及物聯網設備**
- 在智能家居和物聯網(IoT)設備中,TPC6113-VB 作為小功率開關元件應用於自動化控制系統中,能夠確保高效能、長時間的電池供電,並通過低功耗特性提升設備的可靠性和持久性。

*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

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