產品參數:
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
| DFN8(5X6) |
Single-N |
30V |
|
1.7V |
80A |
|
|
7mΩ |
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VCE |
VGE |
VGEth(V) |
VCEsat15V |
ICE |
Technology |
| DFN8(5X6) |
Single-N |
|
|
|
|
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds18 |
Technology |
| DFN8(5X6) |
Single-N |
30V |
|
1.7V |
80A |
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds6 |
Technology |
| DFN8(5X6) |
Single-N |
30V |
|
1.7V |
80A |
|
Trench |
2. **詳細參數說明**
| **參數** | **值** |
|----------------|-----------------|
| **型號** | TSM080N03E-VB |
| **封裝** | DFN8 (5x6) |
| **配置** | 單N溝道 |
| **漏源電壓 (VDS)** | 30V |
| **柵源電壓 (VGS)** | ±20V |
| **閾值電壓 (Vth)** | 1.7V |
| **導通電阻 (RDS(ON))** | 9mΩ (VGS=4.5V)
7mΩ (VGS=10V) |
| **最大漏極電流 (ID)** | 80A |
| **技術** | Trench技術 |
領域和模塊應用:
3. **應用領域和模組**
TSM080N03E-VB MOSFET的低RDS(ON)特性和高電流能力使其在多個領域具有廣泛應用,尤其是在高效能和低功耗的場景中。以下是該型號在不同領域和模組中的典型應用:
- **電源管理**:在DC-DC轉換器、功率因數校正(PFC)電路等電源管理模組中,TSM080N03E-VB的低導通電阻和高電流能力使其能夠有效減少功率損耗並提高轉換效率。尤其適合用於要求高效率和低熱量的應用。
- **電動工具與電動驅動系統**:該MOSFET可廣泛應用於電動工具、電動汽車驅動模組及其他電動驅動系統,提供高電流支持和穩定性能,滿足大功率電流需求。
- **電池管理系統(BMS)**:在電池管理系統中,TSM080N03E-VB可用於電池充放電控制,尤其適用於需要高電流和快速開關的場合。低RDS(ON)特性確保了系統的高效能和長時間運行。
- **開關電源(SMPS)**:在各種開關模式電源設計中,TSM080N03E-VB MOSFET適用於輸出功率較高的模組,能夠提供快速的開關回應並降低開關損耗,提升整體系統效率。
- **LED驅動電路**:該MOSFET也適用於LED驅動電路中,能夠穩定控制電流和電壓,確保LED系統的可靠運行並提升整體性能。
綜上,TSM080N03E-VB因其高電流承載能力、低導通電阻以及高效開關特性,廣泛應用於各種功率轉換和管理領域,尤其適合要求高效率和低功耗的電子系統。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性