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TSM10N80CZ C0-VB 產品詳細

產品簡介:

TSM10N80CZ C0-VB MOSFET 產品簡介

TSM10N80CZ C0-VB 是一款單極性 N 通道功率 MOSFET,採用 TO220 封裝,具有 800V 的耐壓能力和 7A 的最大漏電流。其採用 SJ_Multi-EPI 技術,提供了卓越的開關性能和低導通電阻(RDS(ON))。該 MOSFET 適用於需要高耐壓和高效率的電源管理、電動工具、電動汽車充電器等多個應用領域。由於其較低的 RDS(ON),在高功率應用中能夠有效地降低能量損失,並提高整體系統的效率和穩定性。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 800V 3.5V 7A 850mΩ SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 800V 3.5V 7A SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 800V 3.5V 7A SJ_Multi-EPI
TSM10N80CZ C0-VB MOSFET 參數說明

- **封裝(Package)**: TO220
- **配置(Configuration)**: 單極性 N 通道(Single-N-Channel)
- **耐壓(VDS)**: 800V
- **柵源電壓(VGS)**: ±30V
- **閾值電壓(Vth)**: 3.5V
- **導通電阻(RDS(ON))**: 850mΩ(在 VGS=10V 時)
- **最大漏電流(ID)**: 7A
- **技術(Technology)**: SJ_Multi-EPI

領域和模塊應用:

TSM10N80CZ C0-VB MOSFET 適用領域和模組

1. **高效電源管理系統**:
TSM10N80CZ C0-VB MOSFET 由於其高耐壓(800V)和低導通電阻(RDS(ON)),在高電壓電源管理中表現出色。它適合應用於開關電源(SMPS)、電源適配器和大功率電源模組中,能夠有效降低能量損失,提高系統效率,並增強穩定性。

2. **電動工具和家電**:
在電動工具和家用電器的電源轉換模組中,TSM10N80CZ C0-VB MOSFET 能提供高效的功率開關能力,尤其在需要高耐壓、穩定開關特性的應用中表現出色。它能夠支持電動工具在高負載時的電源需求,確保系統的長期穩定運行。

3. **電動汽車充電系統**:
作為電動汽車充電器的核心功率元件,TSM10N80CZ C0-VB 能提供高效的電壓轉換和電流控制。在電動汽車充電站和車載充電模組中,MOSFET 的高耐壓能力和低導通電阻使其非常適合用於高電壓、高功率的電源轉換。

4. **LED 驅動電路**:
在LED照明應用中,TSM10N80CZ C0-VB MOSFET 用於驅動高壓LED模組。由於其低導通電阻和較高的耐壓能力,能夠在電源開關過程中減少功率損失,提高LED系統的能效。它特別適用於需要高效率和長壽命的高功率LED驅動電路中。

5. **工業電力控制系統**:
TSM10N80CZ C0-VB 也廣泛應用於工業電力控制系統中,尤其是在要求高壓、高可靠性的電力轉換模組中。無論是用於逆變器、變頻器,還是其他工業電力設備,憑藉其高耐壓和良好的開關性能,TSM10N80CZ C0-VB 是一個理想選擇。

6. **功率因數校正(PFC)電路**:
在功率因數校正電路中,TSM10N80CZ C0-VB MOSFET 的低導通電阻和高耐壓特性使其非常適合處理高電壓和大電流的應用,能夠有效提升系統的功率因數並降低能源浪費。

這些領域和應用展示了 TSM10N80CZ C0-VB MOSFET 的多功能性,它的高效能和穩定性使其成為高電壓應用中的理想選擇,尤其在電源管理、電動工具和充電系統中有著廣泛的應用前景。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

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