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TSM3N80CZ C0-VB 產品詳細

產品簡介:

TSM3N80CZ C0-VB MOSFET 產品簡介

TSM3N80CZ C0-VB 是一款採用 TO220 封裝的單極 N-Channel 功率 MOSFET,專為高電壓應用設計,最大漏極-源極電壓(V_DS)可達到 850V,適用於需要高電壓和低功率損耗的電源轉換和控制電路。該 MOSFET 具有最大柵極-源極電壓(V_GS)為 ±30V,閾值電壓(V_th)為 3.5V,保證在標準的驅動電壓下能夠穩定開啟。其導通電阻(R_DS(on))在 V_GS = 10V 時為 2700mΩ,具有良好的電流承載能力(最大漏極電流為 4A)。該 MOSFET 使用了 Plannar 工藝,能夠提供較低的導通損耗和良好的開關性能,非常適合高電壓電源和負載控制、功率轉換等領域應用。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 850V 3.5V 4A 2700mΩ Plannar
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Plannar
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 850V 3.5V 4A Plannar
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 850V 3.5V 4A Plannar
TSM3N80CZ C0-VB MOSFET 詳細參數說明

- **封裝類型(Package)**:TO220
- **配置(Configuration)**:單極 N-Channel
- **最大漏極-源極電壓(V_DS)**:850V
- **最大柵極-源極電壓(V_GS)**:±30V
- **導通電壓閾值(V_th)**:3.5V
- **導通電阻(R_DS(on))**:2700mΩ(在 V_GS = 10V 時)
- **最大漏極電流(I_D)**:4A
- **工藝技術(Technology)**:Plannar
- **工作溫度範圍**:未提供
- **最大功率耗散(P_D)**:未提供

領域和模塊應用:

TSM3N80CZ C0-VB MOSFET 應用領域與模組舉例

1. **電源管理與電源轉換(Power Supply and Conversion)**
TSM3N80CZ C0-VB 在高電壓電源管理中扮演著重要角色。它能夠有效地承受高達 850V 的電壓,適合用於電源轉換器、電壓調節器、開關電源(SMPS)等電力電子應用。由於其較低的導通電阻,它能夠在電源轉換過程中減少功率損耗,從而提高電源系統的效率。

2. **逆變器(Inverters)**
在逆變器應用中,TSM3N80CZ C0-VB MOSFET 可以用於 DC-AC 轉換過程中的功率開關,特別適用於中高電壓的逆變器設計,如太陽能逆變器、UPS 電源等。這款 MOSFET 能夠高效轉換電能,並在高電壓條件下提供穩定可靠的開關操作,幫助實現高效的電能轉換。

3. **電動機驅動與控制(Motor Drives and Control)**
TSM3N80CZ C0-VB 也適用於電動機驅動系統。通過控制電流的流動,MOSFET 在電動機的啟動、停止和調速過程中起著關鍵作用。特別是在需要高電壓的工業電動機驅動系統中,TSM3N80CZ C0-VB 能夠提供精確的電流控制和高效的功率傳輸。

4. **高電壓負載開關(High Voltage Load Switching)**
由於 TSM3N80CZ C0-VB 的高電壓承受能力,它在需要控制高電壓負載的應用中尤為適用。例如,在電力系統中,該 MOSFET 可用於負載開關電路,幫助控制電路的開啟和關閉,同時保護電路免受過電壓的影響。其低導通電阻確保了負載開關操作的高效性和可靠性。

5. **電池管理系統(Battery Management Systems)**
在電池管理系統(BMS)中,TSM3N80CZ C0-VB 可用於電池的充放電控制和電流監測。在高電壓電池系統中,MOSFET 能夠實現電流的精確控制,確保電池充放電的安全和效率。此外,在電池保護電路中,該 MOSFET 也可用來提供過電流、過電壓保護。

6. **過電流與過電壓保護(Overcurrent and Overvoltage Protection)**
TSM3N80CZ C0-VB 可作為過電流和過電壓保護電路的關鍵組件。通過快速回應電壓和電流變化,它能夠在發生過電流或過電壓時及時切斷電流,保護電路不受損害。在高壓電源系統、工業設備等領域,這款 MOSFET 能夠提高設備的安全性,防止因超載引起的損壞。

7. **鐳射驅動(Laser Driver Circuits)**
在鐳射驅動電路中,TSM3N80CZ C0-VB 適用於高電壓鐳射二極體的電流控制。其高電壓和較高的電流承載能力能夠滿足鐳射二極體在啟動和工作時的需求,從而提供穩定的鐳射輸出。

*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

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