推广型号

您現在的位置 > 首頁 > 推广型号

TSM5N50CZ C0-VB 產品詳細

產品簡介:

1. 產品簡介:

**TSM5N50CZ C0-VB** 是一款**單通道N-Channel MOSFET**,採用**TO220封裝**,具備高耐壓能力,適合用於電源管理和高功率開關應用。其**耐壓(VDS)**高達**600V**,**最大柵源電壓(VGS)**為**30V**,具有較高的工作穩定性。**門極閾值電壓(Vth)**為**3.5V**,該MOSFET在工作時表現出較低的**導通電阻(RDS(ON))**,分別為**1070mΩ** @ VGS = 4.5V 和 **780mΩ** @ VGS = 10V。**最大漏極電流(ID)**為**8A**,能夠處理高功率負載,適合多種工業應用,尤其是在高壓、高電流環境下的開關和電源管理中。

文件下載

下載PDF檔案
立即下載

產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 600V 3.5V 8A 780mΩ Plannar
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Plannar
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 600V 3.5V 8A Plannar
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 600V 3.5V 8A Plannar
2. 詳細的參數說明:

- **型號**:TSM5N50CZ C0-VB
- **封裝類型**:TO220
- **配置**:單通道N-Channel MOSFET
- **耐壓(VDS)**:600V
- **柵源電壓(VGS)**:±30V
- **門極閾值電壓(Vth)**:3.5V
- **導通電阻(RDS(ON))**:
- **1070mΩ** @ VGS = 4.5V
- **780mΩ** @ VGS = 10V
- **最大漏極電流(ID)**:8A
- **最大功率耗散(Pd)**:約為40W
- **工作溫度範圍**:-55°C 至 +150°C
- **輸入電容(Ciss)**:約為800pF
- **輸出電容(Coss)**:約為250pF
- **反向恢復時間(Trr)**:約為200ns
- **技術類型**:Plannar技術
- **最大脈衝電流(IDM)**:32A
- **典型開關特性**:適用於高電壓、高電流場合,提供高效的開關和控制。

領域和模塊應用:

3. 應用領域及模組示例:

**TSM5N50CZ C0-VB** 在高電壓和高電流的電源管理中具有廣泛應用,特別是在高效電源系統、電池管理、工業控制和通信設備中。以下是該MOSFET的典型應用領域:

# **電源管理**
**TSM5N50CZ C0-VB** 由於其高耐壓和較低的導通電阻,非常適合用於**高壓DC-DC轉換器**、**AC-DC電源**及**電源逆變器**。在這些應用中,它能夠提供高效的電流控制,減少能量損耗,提高電源的轉換效率,尤其在變頻器、開關電源、太陽能逆變器等領域的高功率系統中表現優秀。

# **逆變器系統**
**TSM5N50CZ C0-VB** 在**逆變器系統**中也有應用,特別是用於高電壓環境下的直流到交流電的轉換。該MOSFET可以有效地轉換電能,適用於**太陽能逆變器**、**風能逆變器**等可再生能源系統中,確保系統高效、穩定的工作。

**總結**:
**TSM5N50CZ C0-VB** 是一款適用於高電壓和大電流應用的單通道N-Channel MOSFET,憑藉其600V的耐壓能力和低導通電阻,非常適合用於高效電源管理、電池管理、工業電源控制、通信設備及逆變器系統等領域。它的高開關速度、低功率損耗和高耐壓性能,使其在高效電源轉換和電流控制應用中具有顯著優勢。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

技術支援:

* 如果您對產品有任何問題,請填寫表格提交,我們會24小時內回復您

打樣申請

QQ諮詢

電話諮詢

400-655-8788

微信諮詢

一鍵置頂

打樣申請
線上諮詢
電話諮詢
微信諮詢