產品參數：
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
| TO220 |
Single-N |
500V |
|
3.1V |
13A |
|
|
660mΩ |
Plannar |
| VB Package |
Configuration |
VCE |
VGE |
VGEth(V) |
VCEsat15V |
ICE |
Technology |
| TO220 |
Single-N |
|
|
|
|
|
Plannar |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds18 |
Technology |
| TO220 |
Single-N |
500V |
|
3.1V |
13A |
|
Plannar |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds6 |
Technology |
| TO220 |
Single-N |
500V |
|
3.1V |
13A |
|
Plannar |
2. **詳細參數說明**
- **型號**: TSM9NB50-VB
- **封裝類型**: TO220
- **配置**: 單 N-Channel
- **最大漏源電壓 (V_DS)**: 500V
- **柵極驅動電壓 (V_GS)**: ±30V
- **柵極閾值電壓 (V_th)**: 3.1V
- **導通電阻 (R_DS(ON))**:
- 660mΩ @ V_GS = 10V
- **最大漏極電流 (I_D)**: 13A
- **最大功率耗散 (P_D)**: 45W
- **最大結溫 (T_j)**: +150°C
- **反向漏電流 (I_DSS)**: ≤ 50nA @ V_DS = 500V
- **開關時間**:
- 開通延遲時間 (t_d(on)): 20ns
- 關斷延遲時間 (t_d(off)): 35ns
- **熱阻 (RthJC)**: 3.5°C/W
- **最大柵極源極電壓 (V_GS_max)**: ±30V
- **結溫範圍**: -55°C 至 +150°C
- **電氣性能**:
- I_DSS (反向漏電流): 50nA（最大值）@V_DS=500V
- 輸入電容 (C_iss): 120pF (典型值)
- 輸出電容 (C_oss): 35pF (典型值)
領域和模塊應用：
3. **應用領域與模組示例**
# **電源管理與功率轉換 (Power Management & Power Conversion)**
TSM9NB50-VB 在電源管理和功率轉換中表現出色，特別適用於 DC-DC 轉換器、AC-DC 適配器以及各種電源穩壓器中。該 MOSFET 的高電壓（500V）和大電流（13A）承載能力使其能夠有效地管理高壓電流並減少能量損耗。在高壓電源中，TSM9NB50-VB 提供低導通電阻和快速開關特性，從而提高了系統效率。
總結
TSM9NB50-VB 是一款高效、高性能的 N-Channel MOSFET，適用於高電壓（500V）和高電流（13A）的應用。其低導通電阻、高電流承載能力以及快速的開關特性，使其在電源管理、功率轉換、電動機驅動、太陽能逆變器等多種工業和消費電子領域中表現出色。在電動汽車、電池管理和高效電池充電器中，也能提供可靠的高效能解決方案。
*請注意：以上只是示例應用場景，具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時，請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性
立即下載
中文
English
返回上級頁面
