產品參數:
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
| DFN8(3X2)-B |
Dual-N+P |
±20V |
|
0.8/-0.8V |
5.9/-4.1A |
|
|
32/69mΩ |
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VCE |
VGE |
VGEth(V) |
VCEsat15V |
ICE |
Technology |
| DFN8(3X2)-B |
Dual-N+P |
|
|
|
|
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds18 |
Technology |
| DFN8(3X2)-B |
Dual-N+P |
±20V |
|
0.8/-0.8V |
5.9/-4.1A |
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds6 |
Technology |
| DFN8(3X2)-B |
Dual-N+P |
±20V |
|
0.8/-0.8V |
5.9/-4.1A |
|
Trench |
詳細參數說明
- **型號**:TT8M3-VB
- **封裝**:DFN8(3X2)-B
- **配置**:雙N+P溝MOSFET(Dual-N+P-Channel)
- **漏源電壓(VDS)**:±20V
- **柵源電壓(VGS)**:±8V
- **閾值電壓(Vth)**:
- **N-Channel**:0.8V
- **P-Channel**:-0.8V
- **導通電阻(RDS(ON))**:
- **N-Channel**:
- **32mΩ** @ VGS=10V
- **36mΩ** @ VGS=4.5V
- **P-Channel**:
- **69mΩ** @ VGS=10V
- **97mΩ** @ VGS=4.5V
- **最大漏電流(ID)**:
- **N-Channel**: 5.9A
- **P-Channel**: -4.1A
- **技術**:Trench技術
- **工作溫度範圍**:-55°C 至 +150°C
- **功率耗散**:根據應用需求進行估算
- **開關速度**:適用於快速開關應用,能夠實現高效的電流控制
領域和模塊應用:
應用領域和模組舉例
1. **電源管理模組**:
**TT8M3-VB** 非常適用於 **電源管理**,特別是在 **DC-DC轉換器** 中,作為開關元件優化電壓轉換效率。在電源轉換過程中,低 **RDS(ON)** 可減少開關損耗,提高系統的整體效率,特別適合電池供電的設備。
2. **負載開關應用**:
在 **負載開關** 和 **電池管理系統** 中,**TT8M3-VB** 可以實現高效的電流切換,特別是在需要同時控制正負電流的電路中。其 **雙N+P通道結構** 使得它在處理電源開關時能夠提供更高的靈活性和更低的損耗,非常適用於例如電池充電控制、LED驅動電路和可攜式電源模組。
3. **可攜式設備**:
在 **可攜式電子設備** 中,**TT8M3-VB** 由於其小巧的 **DFN8(3X2)-B封裝**,非常適合應用於體積限制嚴格的設計,如智能手機、可攜式音響、手持設備的電源管理電路。高效的開關性能能夠有效延長電池使用時間,提高設備的整體續航能力。
4. **汽車電子**:
在 **汽車電子** 系統中,尤其是電動汽車(EV)和混合動力汽車(HEV)的電源系統,**TT8M3-VB** 可用於電源轉換、電池管理和驅動控制模組,支持高效的電壓轉換和能量管理。
通過其低導通電阻、高電流承載能力和可靠的開關特性,**TT8M3-VB** 是設計高效、緊湊的電源系統時的理想選擇。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性